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理论上分析：浸在液体中的物体受到的浮力就是液体对物体表面压力的合力．如图所示，一个底面积为S，高为h的长方形浸没在密度为ρ的液体中．（1）分析该物体侧面所受液体压力的合力F 物理

原理的表述是一致的．

上升的那部分水的重心上升了多少?一体积为V的小球从横截面为s,高度为h的水面轻轻放入水中并沉入水底……那排开水的体积不是正好等于小球的体积吗?假定排开的这部分水平铺在原水面上, 物理

部分水的重心不是正好上升了△

如图所示，斜面长为s，高为h，把重为G的物体沿斜面从坡底匀速拉到坡顶所用的拉力为F，斜面对物体的摩擦力为f，则斜面的机械效率是（）A.FsGhB.FsGh+fsC.GhGh+fsD.fsGh 物理

甲、乙分别是密度为ρ1、ρ2的两个金属圆柱体，甲对乙的压强等于它们对水平桌面的压强．若把甲、乙两圆柱体熔炼成一个合金圆柱体，则该圆柱体底面积为s，高为h，当它放在水平桌面上物理

（2014•安庆二模）如图所示，在研究浮力是如何产生的问题时，设想有一个底面积为S，高为h的长方体物块浸没在水中，由于水对长方体上表面的压力F1和下表面的压力F2不同，从而产生了对其他

水=1.0×103 kg/m

C关于自加结果#includevoidmain(){intj=5,k=5,h=5,q,r,s;q=(++j);r=(++k)+(++k);s=(++h)+(++h)+(++h);printf("%d,%d,%d\n",q,r,s);}运行结果是6，14，22为什么S= 其他

6，14，22 为什么S=

已知在等温条件下,化学反应方向的判据为:ΔH-TΔS<0,反应能正向自发进行；ΔH-TΔS＝0,反应达平衡状态；ΔH-TΔS>0,反应能逆向自发进行.(其中ΔH为焓变,ΔS为熵变,T为热力学温度,单位为K 化学

500＋11T)J/mol,

（1）工业清洗硅片上SiO2（s）的反应是：SiO2（s）+4HF（g）═SiF4（g）+2H2O（g）△H（298.15K）=-94.0kJ•mol-1，△S（298.15K）=-75.8J•mol-1•K-1，△H和△S不随温度而变化，试求此反应自发进行的温度其他

______；（2）对反应2

电子工业中清冼硅片上的二氧化硅的反应是：SiO2(s)+4HF(g)==SiF4(g)+2H2O(g)其△H（298K）==-94.0kJ·mol-1△S(298K)==-75.8J·mol-1·K-1设△H和△S不随温度变化而变化，试求此反应自发进行的化学

求此反应自发进行的温度条件。

自动控制系统的根轨迹分析法已知系统的开环传递函数为G(s)H(s)=K/s(s+2)(s+4),试用根轨迹条件分析点s1=0.5+j3是否在根轨迹上,若是求出相应的根轨迹增益K 数学

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