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电子工业中清冼硅片上的二氧化硅的反应是:SiO2(s)+4HF(g)==SiF4(g)+2H2O(g)其△H(298K)==-94.0kJ·mol-1△S(298K)==-75.8J·mol-1·K-1设△H和△S不随温度变化而变化,试求此反应自发进行的
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电子工业中清冼硅片上的二氧化硅的反应是:SiO 2 (s)+4HF(g)==SiF 4 (g)+2H 2 O(g) 其△H(298K)== -94.0kJ·mol -1 △S(298K)== -75.8J·mol -1 ·K -1 设△H和△S不随温度变化而变化,试求此反应自发进行的温度条件。 |
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T<1.24×10 3 K |
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