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氮化硅(Si3N4)是一种优良的高温结构陶瓷,在工业生产和科技领域中有重要用途.Ⅰ.工业上有多种方法来制备氮化硅,常见的方法:方法一直接氮化法:在1300~1400℃时,高纯粉状硅
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氮化硅(Si3N4)是一种优良的高温结构陶瓷,在工业生产和科技领域中有重要用途.
Ⅰ.工业上有多种方法来制备氮化硅,常见的方法:
方法一 直接氮化法:在1 300~1 400℃时,高纯粉状硅与纯氮气化合,其反应方程式为
方法二 化学气相沉积法:在高温条件下利用四氯化硅气体、纯氮气、氢气反应生成氮化硅和HCl,与方法一相比,用此法制得的氮化硅纯度较高,其原因是______.
方法三 Si(NH2)4热分解法:先用四氯化硅与氨气反应生成Si3N4和一种气体______(填分子式);然后使Si(NH2)4受热分解,分解后的另一种产物的分子式为______.
Ⅱ.(1)氮化硅抗腐蚀能力很强,但易被氢氟酸腐蚀,氮化硅与氢氟酸反应生成四氟化硅和一种铵盐,此盐中存在的化学键类型有______.
(2)已知:25℃,101kPa条件下的热化学方程式:
3Si(s)+2N2(g)═Si3N4(s)△H=-750.2kJ/mol ①
Si(s)+2C12(g)═SiCl4(g)△H=-609.6kJ/mol ②
H2(g)+
C12(g)═HCl(g)△H=-92.3kJ/mol ③
请写出四氯化硅气体与氮气、氢气反应的热化学方程式:______.
Ⅲ.工业上制取高纯硅和四氯化硅的生产流程如下:

已知:X、高纯硅、原料B的主要成分都可与Z反应,Y与X在光照或点燃条件下可反应,Z的焰色呈黄色.
(1)原料B的主要成分是______(填化学式).
(2)写出焦炭与原料B中的主要成分反应的化学方程式:
(3)上述生产流程中电解A的水溶液时,阳极材料能否用Cu?______(填“能”或“不能”).写出Cu为阳极电解A的水溶液开始一段时间阴、阳极的电极反应方程式.阳极:______;阴极:______.
Ⅰ.工业上有多种方法来制备氮化硅,常见的方法:
方法一 直接氮化法:在1 300~1 400℃时,高纯粉状硅与纯氮气化合,其反应方程式为
3Si+2N2
Si3N4
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3Si+2N2
Si3N4
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方法二 化学气相沉积法:在高温条件下利用四氯化硅气体、纯氮气、氢气反应生成氮化硅和HCl,与方法一相比,用此法制得的氮化硅纯度较高,其原因是______.
方法三 Si(NH2)4热分解法:先用四氯化硅与氨气反应生成Si3N4和一种气体______(填分子式);然后使Si(NH2)4受热分解,分解后的另一种产物的分子式为______.
Ⅱ.(1)氮化硅抗腐蚀能力很强,但易被氢氟酸腐蚀,氮化硅与氢氟酸反应生成四氟化硅和一种铵盐,此盐中存在的化学键类型有______.
(2)已知:25℃,101kPa条件下的热化学方程式:
3Si(s)+2N2(g)═Si3N4(s)△H=-750.2kJ/mol ①
Si(s)+2C12(g)═SiCl4(g)△H=-609.6kJ/mol ②
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请写出四氯化硅气体与氮气、氢气反应的热化学方程式:______.
Ⅲ.工业上制取高纯硅和四氯化硅的生产流程如下:

已知:X、高纯硅、原料B的主要成分都可与Z反应,Y与X在光照或点燃条件下可反应,Z的焰色呈黄色.
(1)原料B的主要成分是______(填化学式).
(2)写出焦炭与原料B中的主要成分反应的化学方程式:
SiO2+2C
Si+2CO↑
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SiO2+2C
Si+2CO↑
.
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(3)上述生产流程中电解A的水溶液时,阳极材料能否用Cu?______(填“能”或“不能”).写出Cu为阳极电解A的水溶液开始一段时间阴、阳极的电极反应方程式.阳极:______;阴极:______.
▼优质解答
答案和解析
Ⅰ、方法一、硅与氮气反应生成氮化硅,反应方程式为:3Si+2N2
Si3N4,
故答案为:3Si+2N2
Si3N4;
方法二、方法一所得到的产品中混有单质硅,而方法二除产品是固体,其他物质均为气体,故方法二得到氮化硅纯度较高,
故答案为:方法一所得到的产品中混有单质硅,而方法二除产品是固体,其他物质均为气体;
方法三、四氯化硅与氨气反应生成Si(NH2)4与一种气体,反应中四氯化硅与氨气按1:4反应,故生成气体中Cl原子与H原子数目之比为4:(4×3-2×4)=1:1,故生成气体为HCl;
Si(NH2)4分解生成Si3N4与一种气体,则Si(NH2)4与Si3N4按3:1进行,故生成气体中含有N、H原子,二者数目之比为(4×3-4):2×4×3=8:24=1:3,故该气体为NH3,
故答案为:HCl;NH3;
Ⅱ、(1)氮化硅与氢氟酸反应生成四氟化硅和一种铵盐,该铵盐是NH4F,含有离子键、共价键,
故答案为:离子键、共价键;
(2)已知:3Si(s)+2N2(g)═Si3N4(s)△H=-750.2kJ/mol ①
Si(s)+2C12(g)═SiCl4(g)△H=-609.6kJ/mol ②
H2(g)+
C12(g)═HCl(g)△H=-92.3kJ/mol ③
根据盖斯定律,①-②×3+③×12得:3SiCl4(g)+2N2(g)+6H2(g)=Si3N4(g)+12HCl(g);△=-29.0kJ/mol,
故答案为:3SiCl4(g)+2N2(g)+6H2(g)=Si3N4(g)+12HCl(g);△=-29.0kJ/mol;
Ⅲ、原料B与碳得到粗产品与X反应,生成SiCl4,则X为氯气,原料B与碳得到粗产品为Si,故B为SiO2.Y与氯气在光照或点燃条件下可反应,且与SiCl4反应得到高纯度Si,则Y为氢气.Z的焰色呈黄色,含有Na元素,电解A得到氢气、氯气与Z,则Z为NaOH、A为NaCl,
(1)由上述分析可知,原料B的主要成分是SiO2,
故答案为:SiO2;
(2)焦炭与SiO2反应生成Si与CO,反应方程式为:SiO2+2C
Si+2CO↑,
故答案为:SiO2+2C
Si+2CO↑;
(3)上述生产流程中电解NaCl的水溶液时,阳极氯离子放电生成氯气,阳极材料若为Cu,则Cu放电,氯离子不能放电生成氯气,故阳极材料不能为Cu;
Cu为阳极电解NaCl的水溶液开始一段时间,阳极Cu放电生成铜离子,阳极电极反应式为:Cu-2e-=Cu2+,
阴极水放电生成氢气与氢氧根离子,阴极电极反应式为:2H2O+2e-=H2↑+2OH-,
故答案为:不能;Cu-2e-=Cu2+;2H2O+2e-=H2↑+2OH-.
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故答案为:3Si+2N2
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方法二、方法一所得到的产品中混有单质硅,而方法二除产品是固体,其他物质均为气体,故方法二得到氮化硅纯度较高,
故答案为:方法一所得到的产品中混有单质硅,而方法二除产品是固体,其他物质均为气体;
方法三、四氯化硅与氨气反应生成Si(NH2)4与一种气体,反应中四氯化硅与氨气按1:4反应,故生成气体中Cl原子与H原子数目之比为4:(4×3-2×4)=1:1,故生成气体为HCl;
Si(NH2)4分解生成Si3N4与一种气体,则Si(NH2)4与Si3N4按3:1进行,故生成气体中含有N、H原子,二者数目之比为(4×3-4):2×4×3=8:24=1:3,故该气体为NH3,
故答案为:HCl;NH3;
Ⅱ、(1)氮化硅与氢氟酸反应生成四氟化硅和一种铵盐,该铵盐是NH4F,含有离子键、共价键,
故答案为:离子键、共价键;
(2)已知:3Si(s)+2N2(g)═Si3N4(s)△H=-750.2kJ/mol ①
Si(s)+2C12(g)═SiCl4(g)△H=-609.6kJ/mol ②
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根据盖斯定律,①-②×3+③×12得:3SiCl4(g)+2N2(g)+6H2(g)=Si3N4(g)+12HCl(g);△=-29.0kJ/mol,
故答案为:3SiCl4(g)+2N2(g)+6H2(g)=Si3N4(g)+12HCl(g);△=-29.0kJ/mol;
Ⅲ、原料B与碳得到粗产品与X反应,生成SiCl4,则X为氯气,原料B与碳得到粗产品为Si,故B为SiO2.Y与氯气在光照或点燃条件下可反应,且与SiCl4反应得到高纯度Si,则Y为氢气.Z的焰色呈黄色,含有Na元素,电解A得到氢气、氯气与Z,则Z为NaOH、A为NaCl,
(1)由上述分析可知,原料B的主要成分是SiO2,
故答案为:SiO2;
(2)焦炭与SiO2反应生成Si与CO,反应方程式为:SiO2+2C
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故答案为:SiO2+2C
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(3)上述生产流程中电解NaCl的水溶液时,阳极氯离子放电生成氯气,阳极材料若为Cu,则Cu放电,氯离子不能放电生成氯气,故阳极材料不能为Cu;
Cu为阳极电解NaCl的水溶液开始一段时间,阳极Cu放电生成铜离子,阳极电极反应式为:Cu-2e-=Cu2+,
阴极水放电生成氢气与氢氧根离子,阴极电极反应式为:2H2O+2e-=H2↑+2OH-,
故答案为:不能;Cu-2e-=Cu2+;2H2O+2e-=H2↑+2OH-.
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