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（2007•苏州模拟）一块N型半导体薄片（称霍尔元件），其横载面为矩形，体积为b×c×d，如图所示．已知其单位体积内的电子数为n、电阻率为ρ、电子电荷量e．将此元件放在匀强磁场中，磁物理

？（2）试证明在磁感应强度一

一块N型半导体薄片（电子导电）称霍尔元件，其横载面为矩形，体积为b×c×d，如图所示．已知其单位体积内的电子数为n、电阻率为ρ、电子电荷量e，将此元件放在匀强磁场中，磁场方向沿z 物理

在磁感应强度一定时，CC′两

一块N型半导体薄片（称霍尔元件），其横载面为矩形，体积为b×c×d，如图所示。已知其单位体积内的电子数为n、电阻率为ρ、电子电荷量e，将此元件放在匀强磁场中，磁场方向沿物理

侧面中，哪个面电势高？(2)

一导体材料的样品的体积为a×b×c，A′、C、A、C′为其四个侧面，如图所示．已知导体样品中载流子是自由电子，且单位体积中的自由电子数为n，电阻率为ρ，电子的电荷量为e，沿x方向物理

定向移动的速率是______

（2007•东台市模拟）一导体材料样品的体积为a×b×c，A'、C、A、C'为其四个侧面，如图所示．已知导体样品中载流子是自由电子，且单位体积中的自由电子数为n，电阻率为ρ，电子的电荷量其他

ab，导体中自由电子定向移动

一导体材料的样品的体积为a×b×c，A′、C、A、C′为其四个侧面，如图所示．已知导体样品中载流子是自由电子，且单位体积中的自由电子数为n，电阻率为ρ，电子的电荷量为e，沿x方向通有物理

子定向移动的速率是Ineab

有一电阻率为ρ铜导线，流经其中单位截面的电流即电流密度为j，设有单位体积的导线有n个自由电子，电子的电量为e，此时电子的定向移动速率为v，则铜导线内电场强度E大小可表示为（其他

根据经典理论，金属导体中电流的微观表达式为I＝nvSe，其中n为金属导体中每单位体积内的自由电子数，v为导体中自由电子沿导体定向移动的速率，S为导体的横截面积，e为自由电子物理

比为r ab ∶r bc ＝

根据经典理论，金属导体中电流的微观表达式为I＝nvSe，其中n为金属导体中每单位体积内的自由电子数，v为导体中自由电子沿导体定向移动的速率，S为导体的横截面积，e为自由电子的物理

比为r ab ∶r bc ＝

铜的原子量为M,密度为p,每摩尔铜原子有N个自由电子,今有一根横截面积为S的铜导线,当通过的电流为I时,电子平均定向移动的速率为多少?答案上列了这样一个式子：“n=pN/M”其中n为单位体积物理

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