一块N型半导体薄片（称霍尔元件），其横载面为矩形，体积为b×c×d，如图所示。已知其单位体积内的电子数为n、电阻率为ρ、电子电荷量e，将此元件放在匀强磁场中，磁场方向沿

Question

一块 N 型半导体薄片（称霍尔元件），其横载面为矩形，体积为b×c×d，如图所示。已知其单位体积内的电子数为 n 、电阻率为 ρ 、电子电荷量 e ，将此元件放在匀强磁场中，磁场方向沿 z 轴方向，并通有沿 x 轴方向的电流 I 。

(1)此元件的 CC ^/ 两个侧面中，哪个面电势高？
(2)试证明在磁感应强度一定时，此元件的 CC ^/ 两个侧面的电势差与其中的电流成正比；
(3)磁强计是利用霍尔效应来测量磁感应强度 B 的仪器。其测量方法为：将导体放在匀强磁场之中，用毫安表测量通以电流 I ，用毫伏表测量 C 、 C ^/ 间的电压 U ， 就可测得 B 。若已知其霍尔系数 ，并测得 U =0.6mV， I =3mA。试求该元件所在处的磁感应强度 B 的大小。

Answer 1

⑴ 电势较高，（2）由I=nebdv和 得 ，所以侧面的电势差与其中的电流成正比，（3）0.02T