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无限长通电直导线在其周围某一点产生磁场的磁感应强度大小与电流成正比,与导线到这一点的距离成反比,即B=k1r(式中k为常数).如图甲所示,光滑绝缘水平面上平行放置两根无限长直
物理
,方向与N中电流方向相同,绝
如图所示,由均匀导线制成的半径为R的圆环,以速度v匀速进入一磁感应强度大小为B的匀强磁场.当圆环运动到图示位置(∠aOb=90°)时,a、b两点的电势差为()A.2BRvB.22BRvC.24BRvD.
其他
在导线中电流在周围空间产生的磁感应强度大小为:B=k1r,k为常数,r为到导线的距离,如图所示,两个半径相同,材料不同的半圆环并联地接在电路中,电路中的总电流为I,流过ABD半圆环
物理
,若将ABD半圆环绕直径AD
如图所示,在空间某点A存在大小、方向恒定、相互垂直的两个磁场B1、B2,B1=3T,B2=4T,则A点的磁感应强度大小为()A.7TB.1TC.5TD.大于3T小于4T
其他
某一区域有一磁感应强度大小为B=1×10-9次方T的均匀磁场现有以电子绕磁力线,做螺旋运动.该电子绕磁力线旋转一圈所需要的时间间隔为多少秒.若该电子沿磁场方向运动的速度为1×10-²c(
物理
已知电子电荷量为1.6×10
已知无限长通电直导线周围某处磁场的磁感应强度大小为B=kIr,式中常量k>0,I为电流强度,r为该点到直导线的距离.如图所示,将通以恒定电流的长直导线固定在光滑绝缘水平面上,某一
物理
向B. 此后,金属环可能沿
已知真空中半径为R、电流为I的通电圆线圈轴线上任一点Q的磁感应强度大小为B=μ0R2I2(R2+x2)3,方向沿轴线,如图甲所示,其中常量μ0为真空磁导率,x为Q点到圆线圈圆心的距离,现真空中有相
物理
动,如图乙所示,若轴OO′离
利用霍尔效应制作的霍尔元件以及传感器,广泛应用于测量和自动控制等领域.图中一块长为a、宽为b、厚为c的半导体样品薄片放在沿y轴正方向的匀强磁场中,磁感应强度大小为B.当有大
物理
尔效应.其原因是薄片中的移动
如图所示,在x轴上方平面内存在方向垂直纸面向外的匀强磁场,磁感应强度大小为B.坐标原点O处有一离子源,可以在平行于纸面内向x轴上方(包括x轴)沿各个方向发射速率在0到υm之间、
其他
发射的各种速率的离子仅沿+x
如图所示,在x轴上方平面内存在方向垂直纸面向外的匀强磁场,磁感应强度大小为B.坐标原点O处有一离子源,可以在平行于纸面内向x轴上方(包括x轴)沿各个方向发射速率在0到υm
物理
时刻发射的各种速率的离子仅沿
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