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共找到 11 与化简Sn=n 相关的结果,耗时53 ms
将边长为1的正方形纸片按图1所示方法进行对折,记第1次对折后得到的图形面积为S1,第2次对折后得到的图形面积为S2,…,第n次对折后得到的图形面积为Sn,请根据图2化简,S1+S2+S3+…+S2016=
数学
1.已知集合p={x|x=2cosk∏/3,k属于整数},集合Q={x|x=2sin(2k-3)∏/2}key:P=Q我将此化简得p=2sin(∏/2-k∏/3)我觉得是不等于的.2.数列(an)中,前n项的和为Sn,公差〉0,S17=S10,当n=----有最---值
数学
-值13或14 小3.a在等
等差数列(an)、(bn)的前n项和分别为Sn、Tn,且Sn/Tn=(7n+45)/(n-3),则使得an/bn为整数的正整数n的个数是?请问这个化简到7+76/(n-3)然后有没有技巧可言?我是死带数字才算出4个的……
数学
(2014•绵阳)将边长为1的正方形纸片按图1所示方法进行对折,记第1次对折后得到的图形面积为S1,第2次对折后得到的图形面积为S2,…,第n次对折后得到的图形面积为Sn,请根据图2化简,
其他
已知Sn为数列{an}的前n项和,Sn=nan-3n(n-1)(n∈N*),且a2=11求数列{an}的前n项和Sn求详细解答过程,特别是怎么化简an=Sn-Sn-1的过程,谢谢!
其他
ITO薄膜中的载子流是In2O3提供In还是SnO2提供Sn?掺锡氧化铟(即IndiumTinOxide,简称ITO)材料是一种n型半导体材料,具有高的导电率、高的可见光透过率,In2O3里掺入Sn后,Sn元素可以代替In2O3晶格
物理
形式存在,因为In2O3中的
错位相减法的化简问题(1-x)Sn=1+2x[1+x+x^2+x^3+…+x^(n-2)]-(2n-1)*x^n;化简得Sn=(2n-1)*x^(n+1)-(2n+1)*x^n+(1+x)/(1-x)^2上面的式子要怎样化简成下面的式子,有再具体一点的步骤吗
数学
化简Sn=n
+(n-1)×2+(n-2)×22+…+2×2n-2+2n-1的结果是()
化简Sn=n
+(n-1)×2+(n-2)×22+…+2×2n-2+2n-1的结果是()A.2n+1+n-2B.2n+1-n+2C.2n-n-2D.2n+1-n-2∵Sn=n+(n-1
数学
-1)×2+(n-2)×22
设Sn是等比数列{an}的前n项和,S3,S9,S6成等差数列本题很简单可以由2s9=s3+s6得出2q6-q3-1=0在化简中这样去做q不等于1先得出2(1-q9)=(1-q3)+(1-q6)然后左边公式右边提一个1-q32(1-q3)(1+q3
数学
)= (1-q3)(1+1+
已知数列{an}的前n项和Sn=-1/2n^2+kn,k∈N*,且Sn的最大值为81)确定常数k,an的通项公式2)求数列{(9-2an)/2^n}的前n项和Tn第一问中很简单求的k=4,an=(9-2n)/2在第二问中...我设bn=(9-2an)/2^n-----
数学
简得bn=n/2^(n-1)
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