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高二物理问题磁场变化越快,导体的横截面积S越大,导体材料的电阻率越小,形成的涡流就越大.对吗?为什么? 物理

（2007•苏州模拟）一块N型半导体薄片（称霍尔元件），其横载面为矩形，体积为b×c×d，如图所示．已知其单位体积内的电子数为n、电阻率为ρ、电子电荷量e．将此元件放在匀强磁场中，磁物理

？（2）试证明在磁感应强度一

一块N型半导体薄片（电子导电）称霍尔元件，其横载面为矩形，体积为b×c×d，如图所示．已知其单位体积内的电子数为n、电阻率为ρ、电子电荷量e，将此元件放在匀强磁场中，磁场方向沿z 物理

在磁感应强度一定时，CC′两

一块N型半导体薄片（称霍尔元件），其横载面为矩形，体积为b×c×d，如图所示。已知其单位体积内的电子数为n、电阻率为ρ、电子电荷量e，将此元件放在匀强磁场中，磁场方向沿物理

侧面中，哪个面电势高？(2)

一导体材料的样品的体积为a×b×c，A′、C、A、C′为其四个侧面，如图所示．已知导体样品中载流子是自由电子，且单位体积中的自由电子数为n，电阻率为ρ，电子的电荷量为e，沿x方向物理

定向移动的速率是______

（2007•东台市模拟）一导体材料样品的体积为a×b×c，A'、C、A、C'为其四个侧面，如图所示．已知导体样品中载流子是自由电子，且单位体积中的自由电子数为n，电阻率为ρ，电子的电荷量其他

ab，导体中自由电子定向移动

一导体材料的样品的体积为a×b×c，A′、C、A、C′为其四个侧面，如图所示．已知导体样品中载流子是自由电子，且单位体积中的自由电子数为n，电阻率为ρ，电子的电荷量为e，沿x方向通有物理

子定向移动的速率是Ineab

长方体导电材料，建立如图所示的坐标系，和坐标轴的交点坐标分别为x0、y0、z0，导体的电阻率为ρ，导电材料中的自由电荷为电子，电量为e，单位体积中自由电荷的个数为n，若在垂直于x 物理

由电荷定向移动的平均速率；（

银是电阻率很小的导电体，假设银导线中50%的银原子的最外层电子脱离原子核的束缚而成为自由电子．求银导线中自由电子数的密度（即单位体积内银导线中自由电子的个数）．计算时取银物理

×1023mol-1．（计算

不同的材料有不同的属性，例如铅锑合金、铜、铁的熔点不同，电阻率也不同，铅锑合金的电阻率比铜、铁的都大。(某种材料制成的长度为lm、横截面积为1mm2的导体的电其他

铅锑合金丝、铁丝、铜丝放在同

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