（2011•南通二模）霍尔式位移传感器的测量原理是：如图所示，有一个沿z轴方向的磁场，磁感应强度B=B0+kz（B0，k均为常数），将传感器固定在物体上，保持通过霍尔元件的电流I不变（方向

Question

（2011•南通二模）霍尔式位移传感器的测量原理是：如图所示，有一个沿z轴方向的磁场，磁感应强度B=B₀+kz（B₀，k均为常数），将传感器固定在物体上，保持通过霍尔元件的电流I不变（方向如图中箭头所示）．当物体沿z轴方向移动时，由于位置不同，霍尔元件在y轴方向上的上、下表面的电势差U也不同．则（　　）

A．磁感应强度B越大，上、下表面的电势差U越大
B．k越大，传感器灵敏度（(△U)/(△z)）越高
C．若图中霍尔元件是电子导电，则下板电势高
D．电流I取值越大，上、下表面的电势差U越小

Answer 1

A、最终电子在电场力和洛伦兹力的作用下处于平衡，设霍尔元件的长宽高分别为a、b、c，有q(U)/(c)＝qvB，电流的微观表达式为I=nqvS=nqvbc，所以U=(BI)/(nqb)．B越大，上、下表面的电势差U越大．电流越大，上、下表面的电势差U越大．故A正确，D错误．
    B、k越大，根据磁感应强度B=B₀+kz，知B随z的变化越大，根据U=(BI)/(nqb)．知，U随z的变化越大，即传感器灵敏度（(△U)/(△z)）越高．故B正确．
    C、霍尔元件中移动的是自由电子，根据左手定则，电子向下表面偏转，所以上表面电势高．故C错误．
故选AB．