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在平面上有一片稀疏的电子处在的范围内,从负半轴的远处以相同的速率沿着轴方向平行地向轴射来.试设计一个磁场,使得所有电子均通过原点,然后扩展到在范围内继续沿

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平面上有一片稀疏的电子处在 的范围内,从 负半轴的远处以相同的速率 沿着 轴方向平行地向 轴射来. 试设计一个磁场,使得所有电子均通过原点,然后扩展到在 范围内继续沿着 正方向飞行(如图,虚线内范围)
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答案和解析
平面上有一片稀疏的电子处在 的范围内,从 负半轴的远处以相同的速率 沿着 轴方向平行地向 轴射来. 试设计一个磁场,使得所有电子均通过原点,然后扩展到在 范围内继续沿着 正方向飞行(如图,虚线内范围)

第IV象限的磁场区域与第I象限的磁场区域关于 轴对称, 的方向与 方向相反,大小相等.不难知道,第II、III象限中的磁场区域亦与前者十分类似,只是需要调整速度和粒子束宽度对其的影响,由此 且B II 与B III 方向相反.


电子分布稀疏,电子间的互相作用可略,我们在四个象限分别设计磁场区域,先考虑第I象限,这时可将O点视为电子发射源,所发射的电子均具速率 ,初速方向与 轴夹角 满足
考虑到电子应朝 轴方向偏转,故 应垂直于平面朝里,在该磁场区域内电子做半径为

的圆周运动,其中 分别为电子质量和电子电量的绝对值。电子到达磁场边后[点 ],即沿圆切线方向朝 轴正方向运动,如图所示应有

消去 便得磁场边界方程

故该区域也是半径为 的圆. 由于 。故 的电子轨道对应的那部分磁场区域成为多余的部分,因此可用 的电子轨道[其方程为 ,图中已画出它的 圆轨道]I来约束所取磁场区域。这样,第I象限设计出的磁场区域为
圆:
圆:

所包围的区域,即图中画平行斜线的区域.由题中的限制可知R 1 =2H,于是该区域中

的方向如图所示.
完全相似的分析表明,第IV象限的磁场区域与第I象限的磁场区域关于 轴对称, 的方向与 方向相反,大小相等.不难知道,第II、III象限中的磁场区域亦与前者十分类似,只是需要调整速度和粒子束宽度对其的影响,由此 且B II 与B III 方向相反.
综上所述,设计的一组磁场区域如图所示
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