在2006年，重庆邮电大学的研究人员开发出我国块具有完全自主知识产权的3G手机芯片．研究人员通过图中电路测试，闭合开关S，测得其两端电压为6V，通过其电流为3A，则其内电阻的连接情

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在2006年，重庆邮电大学的研究人员开发出我国块具有完全自主知识产权的3G手机芯片．研究人员通过图中电路测试，闭合开关S，测得其两端电压为6V，通过其电流为3A，则其内电阻的连接情况可能是（　　）

A．10Ω和5Ω的电阻串联
B．10Ω和5Ω的电阻并联
C．6Ω和3Ω的电阻串联
D．6Ω和3Ω的电阻并联

▼优质解答

答案和解析

右边方框内的电阻R=UI=6V3A=2Ω；A、10Ω和5Ω的电阻串联后的总电阻为15Ω，故A错误；B、10Ω和5Ω的电阻并联后的总电阻值：1R=110Ω+15Ω解之：R=103Ω，故B错误；C、6Ω和3Ω的电阻串联后的总电阻为9Ω，故C错误；...

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