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如图,初速为零的电子经加速电场加速后,垂直射入偏转电场,射出时偏转位移为d,若要使d增大些,下列哪些措施是可行的()A.增大偏转电场极板间距离B.减小加速电压U0C.增大偏
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如图,初速为零的电子经加速电场加速后,垂直射入偏转电场,射出时偏转位移为d,若要使d增大些,下列哪些措施是可行的( )A.增大偏转电场极板间距离
B.减小加速电压U0
C.增大偏转电压U
D.改变偏转电场的场强方向
▼优质解答
答案和解析
经加速电场后的速度为v,则
mv2=eU0
所以电子进入偏转电场时速度的大小为,v=
电子进入偏转电场后的偏转的位移 d=
at2=
•
(
)2=
,
可见,要增大d,可行的方法有:增大偏转电压U2,减小加速电压U0.或减小偏转电场极板间距离D.故BC正确.
故选BC
| 1 |
| 2 |
所以电子进入偏转电场时速度的大小为,v=
|
电子进入偏转电场后的偏转的位移 d=
| 1 |
| 2 |
| 1 |
| 2 |
| eU |
| mD |
| l |
| v |
| Ul2 |
| 4DU0 |
可见,要增大d,可行的方法有:增大偏转电压U2,减小加速电压U0.或减小偏转电场极板间距离D.故BC正确.
故选BC
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