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二氯二氢硅(SiH2Cl2)常用于外延法工艺中重要的硅源.易燃、有毒,与水接触易水解,沸点8.2℃.在铜催化作用下,HCl与硅在25O-260℃反应可以制得SiH2Cl2.(1)利用浓硫酸、浓盐酸为原料,
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二氯二氢硅(SiH2Cl2)常用于外延法工艺中重要的硅源.易燃、有毒,与水接触易水解,沸点8.2℃.在铜催化作用下,HCl与硅在25O-260℃反应可以制得SiH2Cl2.

(1)利用浓硫酸、浓盐酸为原料,选用A装置制取HCl,利用了浓硫酸的___性.
(2)D装置中生成二氯二氢硅的化学方程式为___.
(3)按照气体从左到右方向,制取SiH2Cl2的装置(h 处用止水夹夹好)连接次序为a→___→___→___→___→___→___→___(填仪器接口的字母,其中装置C用到2次).
(4)按从左到右的顺序,前面装置C中装的药品为___,后面装置C的作用为___.
(5)反应除生成二氯二氢硅之外,还会生成H2和___、___.
(6)新的制取SiH2Cl2方法是:往硅粉中先通入Cl2在300-350℃反应生成SiCl4,然后再与HCl在250-260℃反应,可以大大提高产率.如果通人气体次序相反,结果会___(用化学方程式表示).

(1)利用浓硫酸、浓盐酸为原料,选用A装置制取HCl,利用了浓硫酸的___性.
(2)D装置中生成二氯二氢硅的化学方程式为___.
(3)按照气体从左到右方向,制取SiH2Cl2的装置(h 处用止水夹夹好)连接次序为a→___→___→___→___→___→___→___(填仪器接口的字母,其中装置C用到2次).
(4)按从左到右的顺序,前面装置C中装的药品为___,后面装置C的作用为___.
(5)反应除生成二氯二氢硅之外,还会生成H2和___、___.
(6)新的制取SiH2Cl2方法是:往硅粉中先通入Cl2在300-350℃反应生成SiCl4,然后再与HCl在250-260℃反应,可以大大提高产率.如果通人气体次序相反,结果会___(用化学方程式表示).
▼优质解答
答案和解析
(1)利用浓硫酸、浓盐酸为原料,浓硫酸有吸水性,使浓盐酸更易挥发出HCl,故答案为:吸水;
(2)D装置中生成二氯二氢硅的化学方程式为Si+2HCl
SiH2Cl2,故答案为:Si+2HCl
SiH2Cl2;
(3)A装置制取HCl,连接C装置干燥,为a-d-e,从f进入D中反应,SiH2Cl2从g处挥发,在B装置中收集,SiH2Cl2密度比空气重,导气管应长进短出,为防止空气中的水进入B中,则应在B后接干燥管,故顺序为:adefgbcde;
故答案为:d;e;f;g;b;c;d;
(4)C装置干燥氯化氢气体,故应选酸性P2O5或中性CaCl2干燥剂,后面装置C的作用为尾气处理和防止空气中的水进入B中;
故答案为:P2O5或CaCl2;尾气处理和防止空气中的水进入B中;
(5)反应除生成二氯二氢硅之外,还会发生反应3Si+10HCl
2SiHCl3+SiCl4+4H2,生成H2和SiCl4、SiHCl3等;
故答案为:SiCl4;SiHCl3;
(6)往硅粉中先通入Cl2在300-350℃反应生成SiCl4,然后再与HCl在250-260℃反应,可以大大提高产率.如果通人气体次序相反,结果会SiH2Cl2与Cl2反应,SiH2Cl2+2Cl2
SiCl4+2HCl (或SiH2Cl2+Cl2
SiHCl3+HCl),
故答案为:SiH2Cl2+2Cl2
SiCl4+2HCl (或SiH2Cl2+Cl2
SiHCl3+HCl).
(2)D装置中生成二氯二氢硅的化学方程式为Si+2HCl
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(3)A装置制取HCl,连接C装置干燥,为a-d-e,从f进入D中反应,SiH2Cl2从g处挥发,在B装置中收集,SiH2Cl2密度比空气重,导气管应长进短出,为防止空气中的水进入B中,则应在B后接干燥管,故顺序为:adefgbcde;
故答案为:d;e;f;g;b;c;d;
(4)C装置干燥氯化氢气体,故应选酸性P2O5或中性CaCl2干燥剂,后面装置C的作用为尾气处理和防止空气中的水进入B中;
故答案为:P2O5或CaCl2;尾气处理和防止空气中的水进入B中;
(5)反应除生成二氯二氢硅之外,还会发生反应3Si+10HCl
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故答案为:SiCl4;SiHCl3;
(6)往硅粉中先通入Cl2在300-350℃反应生成SiCl4,然后再与HCl在250-260℃反应,可以大大提高产率.如果通人气体次序相反,结果会SiH2Cl2与Cl2反应,SiH2Cl2+2Cl2
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故答案为:SiH2Cl2+2Cl2
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