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如图所示的装置，左半部为速度选择器，右半部为匀强的偏转电场，一束同位素离子流从狭缝S1射入速度选择器，能够沿直线通过速度选择器并从狭缝S2射出的离子，又沿着与电场垂直
题目详情
| 如图所示的装置，左半部为速度选择器，右半部为匀强的偏转电场，一束同位素离子流从狭缝S 1 射入速度选择器，能够沿直线通过速度选择器并从狭缝S 2 射出的离子，又沿着与电场垂直的方向，立即进入场强大小为E的偏转电场，最后打在照相底片D上。已知同位素离子的电荷量为q（q>0），速度选择器内部存在着相互垂直的场强大小为E 0 的匀强电场和磁感应强度大小为B 0 的匀强磁场，照相底片D与狭缝S 1 、S 2 的连线平行且距离为L，忽略重力的影响。 （1）求从狭缝S 2 射出的离子速度v 0 的大小； （2）若打在照相底片上的离子在偏转电场中沿速度v 0 方向飞行的距离为x，求出x与离子质量m之间的关系式（用E 0 、B 0 、E、q、m、L表示）。 |
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▼优质解答
答案和解析
| （1）能从速度选择器射出的离子满足 qE 0 =qv 0 B 0 ①  ② （2）离子进入匀强偏转电场E后做类平抛运动，则 x=v 0 t ③  ④ 由牛顿第二定律得qE=ma ⑤ 由②③④⑤式解得  |
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