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对于场强和电势差的关系是A．电场中不同点电势差一定不相同B．在匀强电场中移动位移越大，电势差越大C．公式U=Ed，d是指沿电场线的位移D．在电场中某点放一正电荷q，检物理

高中物理电学0000财富不多,正电荷Q放在一匀强电场中,在以Q为圆心,半径为R的圆周上有A,B,C三点,将检验电荷q放在A点,它受到的电场力正好为零,则匀强电场的大小和方向如何?B,C两点的场强大小物理

一铜片厚度为d=2mm,放在B=3.0T的匀强磁场中,已知磁场方向与铜片表面垂直,载流子密度n=8.4×10^22,当铜片中有与磁场方向垂直的电流I=200A时,求铜片两端的霍尔效应是多少? 物理

一个200匝，面积0.2m2的均匀圆线圈，放在匀强磁场中，磁场方向与线圈垂直．若磁感应强度在0.05s内由0.1T增加到0.5T，则在此过程中，磁通量的变化率是△φ△t=Wb/s，线圈中的感应电动势其他

（2007•苏州模拟）一块N型半导体薄片（称霍尔元件），其横载面为矩形，体积为b×c×d，如图所示．已知其单位体积内的电子数为n、电阻率为ρ、电子电荷量e．将此元件放在匀强磁场中，磁物理

？（2）试证明在磁感应强度一

一块N型半导体薄片（电子导电）称霍尔元件，其横载面为矩形，体积为b×c×d，如图所示．已知其单位体积内的电子数为n、电阻率为ρ、电子电荷量e，将此元件放在匀强磁场中，磁场方向沿z 物理

在磁感应强度一定时，CC′两

一块N型半导体薄片（称霍尔元件），其横载面为矩形，体积为b×c×d，如图所示。已知其单位体积内的电子数为n、电阻率为ρ、电子电荷量e，将此元件放在匀强磁场中，磁场方向沿物理

侧面中，哪个面电势高？(2)

（2005•淮安模拟）如图所示，匀强电场中沿电场线方向上依次有A、B、C三点，AB=BC=1.4m，质量m=0.02kg的带电小球甲以v0=20m/s的速度从A点向C点运动，经过B点时速度为3v0/4，若在BC之间放一质量也其他

动到C点时速度恰好为0．若小

如图所示，匀强电场中沿电场线方向上依次有A、B、C三点，AB=BC=1.4m，质量m=0.02kg的带电小球甲以v0=20m/s的速度从A点向C点运动，经过B点时速度为3v0/4，若在BC之间放一质量也为m的不带物理

恰好为0．若小球所受重力远小

如图所示，光滑圆弧轨道与光滑斜面在B点平滑连接，圆弧半径R=0.2m，整个轨道处在竖直向下的匀强电场中，场强大小E=5.0×l03V/m．一不带电的绝缘小球甲从光滑斜面上的A点由静止释放，在轨其他

通过圆弧轨道最高点D．已知甲

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