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（2007•苏州模拟）一块N型半导体薄片（称霍尔元件），其横载面为矩形，体积为b×c×d，如图所示．已知其单位体积内的电子数为n、电阻率为ρ、电子电荷量e．将此元件放在匀强磁场中，磁物理

？（2）试证明在磁感应强度一

一块N型半导体薄片（电子导电）称霍尔元件，其横载面为矩形，体积为b×c×d，如图所示．已知其单位体积内的电子数为n、电阻率为ρ、电子电荷量e，将此元件放在匀强磁场中，磁场方向沿z 物理

在磁感应强度一定时，CC′两

一块N型半导体薄片（称霍尔元件），其横载面为矩形，体积为b×c×d，如图所示。已知其单位体积内的电子数为n、电阻率为ρ、电子电荷量e，将此元件放在匀强磁场中，磁场方向沿物理

侧面中，哪个面电势高？(2)

根据经典理论，金属导体中电流的微观表达式为I=nv3e，其中n为金属导体中每单位体积内的自由电子数，v为导体中自由电子沿导体定向移动的速率，3为导体的横截面积，e为自由电子的电荷量物理

2a她：2她c=1：4，串联

如图，金属导体宽为b、厚度为d，其单位体积内自由电子数为n，置于磁感应强度大小为B、方向竖直向上的匀强磁场中，电子质量为m、电荷量为e．当导体中通入电流强度为I、方向如图所示的其他

于EFGH面的电势C．ABC

通过横截面积为S的铜导线的电流为I，设导线内单位体积的自由电子数为n，电子的电荷量为e，此时电子的定向移动速率为v，则在△t时间内，通过导线横截面的电子数目为（）A．nSv△tB 其他

导体中的电流是这样产生的：当在一根长度为L、横断面积为S，单位体积内自由电荷数为n的均匀导体两端加上电压U，导体中出现一个匀强电场，导体内的自由电子（-e）受匀强电场的电场力其他

大小与电子移动的平均速率v成

某导体单位长度内电子数为n,电子定向移动速率为v,电子电荷量为e,导体横截面积,导体横截面积为S,则导体中的电流是多少给我个推导过程,我觉得我自己推导的有点问题注意是单位长度内电物理

有一横截面积为S的铜导线，流经其中的电流为I，设每单位体积的导线中有n个自由电子，电子的电荷量为q，此时电子的定向移动速度为v，在△t时间内，通过导线横截面的自由电子数目可表其他

1有一横截面为S的铜导线,流过的电流强度为I.设每单位体积的导线有n个自由电子,电子的电荷量为q,此时电子的定向移动速率为v,在t时间内,通过导线横截面的自由电子数为多少?2某电解池内若物理

截面的电流是?需要具体的步骤

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