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对任意正整数n，定义n的阶乘n!如下：n!=n（m-1）（n-2）×…×3×2×1．例如3！=3×2×1．现有四个命题：①4！×3！=12！；②2014！的个位数字为0；③（x+y）!=x!+y!（x，y∈N*）；④n•n!=（n+1）!-n!（n 其他

题的序号是______．

设函数f:N→N,f(x)＝x＋1,其中N是自然数集合,下列命题中为真的是（）A．f是单射B．f是满射C．f是双射D．f既不是单射也不是满射求解答,谢谢数学

若（x-a）（x+b）的乘积中不含x的一次项,则a,b的关系是（）A.互为倒数B.相等C.互为相反数D.a,b都为0（9-x^2）/（-x-3）=（）（答案可以是多项式,但必须最简）问题二（实题）：（-x-3）（数学

嘛 2.问题2和问题二（实题

定义两个n(n∈N)的运算如下：X=(x1,x2,x3..xn),Y=(y1,y2,y3,...yn),XY=x1y1+x2y2+...xnyn,若a=(a1,a2,...an),b=(b1,b2,...bn),a*b=2^n=3n.(1)若an是n的一个函数解析式数学

,求an

因式分解1,(x-a)^3+a(a-x)2,3m(x-5)-5n(5-x)3,y(x-y)^2-(y-x)^34,m(n-2)-p(2-n)+(n-2)5,a^3-b^3-a^2+b^26,a^2(x-2a)^3-a(2a-x)^27,(a+b)^3(a-b)^2-(b 数学

-a)^2(b+a)^28,

（2006•东城区一模）半导体材料硅中掺砷后成为N型半导体，它的自由电子的浓度大大增加，导电能力也大大增加．一块N型半导体的样品的体积为a×b×c，A’、C、A、C’为其四个侧面，如图物理

放在匀强磁场中，磁场方向沿Z

半导体材料硅中掺砷后成为N型半导体，它的自由电子的浓度大大增加，导电能力也大大增加。一块N型半导体的样品的体积为a×b×c，A′、C、A、C′为其四个侧面，如图所物理

e 。将半导体样品放在匀强

级数的部分和是如何求出来的?比如级数1+2+3+.+n+...的部分和sn为n(n+1)/2这是怎么求出的?另1/n(n+1)怎么化为1/n-(1/n+1)的数学

核内中子数为N的R2+离子，质量数为A，则ng它的氧化物中所含质子的物质的量为（）A．B．C．（A-N+2）molD．化学

如图所示的三角形数阵中，满足：（1）第1行的数为1，（2）第n（n≥2）行首尾两数均为n，其余的数都等于它肩上的两个数相加，则第n+1行中第2个数是n2+n+22n2+n+22（用n表示）．其他

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