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如图所示,匀强磁场竖直向上穿过水平放置的金属框架,
框架宽L
,右端接有电阻R.磁场的磁感强度为B.一根质量为m,电阻不计的金属棒以v0的初速沿框架向左运动.棒与框架间的动摩擦因
其他
的电能.
水平放置的平行金属
框架宽L
=0.2m,质量为m=0.1kg的金属棒ab放在框架上,并且与框架的两个边垂直.整个装置放在方向竖直向下磁感应强度B=0.5T的匀强磁场中,如图所示.金属棒ab在F=2N的水平
物理
他电阻、摩擦阻力均不考虑,求
如图所示,U形导体
框架宽L
=1m,与水平面成α=30°角倾斜放置在匀强磁场中,磁感应强度B=0.2T,垂直框面向上.在框架上垂直框边放有一根质量m=0.2kg、有效电阻R=0.1Ω的导体棒ab,从静止起
物理
求:ab棒下滑的最大速度v
(2013•虹口区二模)如图所示,匀强磁场竖直向上穿过水平放置的金属框架,
框架宽L
,足够长且电阻不计,右端接有电阻R.磁场的磁感强度为B.一根质量为m,电阻不计的金属棒以v0的初速
其他
棒能运动的距离为qRBLqR
如图所示,水平放置的导体框架,宽L=0.50m,接有电阻R=0.20Ω,匀强磁场垂直框架平面向里,磁感应强度B=0.40T.一导体棒ab垂直框边跨放在框架上,并能无摩擦地在框架上滑动,框架和导体ab
物理
b棒中产生的感应电动势大小;
如图所示,一个“日”字形金属框架竖直放置,AB、CD、EF边水平且间距均为L,阻值均为R,框架其余部分电阻不计,水平虚线下方有一宽度为L的垂直纸面向里的匀强磁场.释放框架,当AB边
物理
AB边中的电流I(设从A到B
如图,MNPQ是一个足够长的处于竖直平面内固定的金属框架,框架的宽度为L,电阻忽略不计。ab是一根质量为m,电阻为R的导体棒,能紧贴框架无摩擦下滑,整个框架处于垂直纸面向里
物理
为重力加速度。则在下落过程中
如图所示,电阻不计且足够长的U形金属框架放置在绝缘水平面上,框架与水平面间的动摩擦因数为μ,框架的宽度为L、质量为m1;质量为m2、电阻为R的均匀导体棒ab垂直放在框架上,整个装
物理
摩擦地运动,当棒的运动速度达
(2012•盐城三模)如图所示,宽度为L的金属框架竖直固定在绝缘地面上,框架的上端接有一个电子元件,其阻值与其两端所加的电压成正比,即R=kU,式中k为常数.框架上有一质量为m,离
其他
垂直于框架平面向里.将金属棒
如图所示,一个U形导体框架,其宽度L=1m,框架所在平面与水平面的夹角α=30°,其电阻可忽略不计.设匀强磁场与U形框架的平面垂直.匀强磁场的磁感强度B=0.2T.今有一条形导体ab,其质量
物理
:(g=10m/s2) (1
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