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砷化镓（GaAs）是优良的半导体材料，可用于制作微型激光器或太阳能电池的材料等．回答下列问题：（1）写出基态As原子的核外电子排布式．（2）根据元素周期律，原子半径GaAs，第一
题目详情
砷化镓（GaAs）是优良的半导体材料，可用于制作微型激光器或太阳能电池的材料等．回答下列问题：
（1）写出基态As原子的核外电子排布式___．
（2）根据元素周期律，原子半径Ga___As，第一电离能Ga___As．（填“大于”或“小于”）
（3）AsCl3分子的立体构型为___，其中As的杂化轨道类型为___．
（4）GaF3的熔点高于1000℃，GaCl3的熔点为77.9℃，其原因是___．
（5）GaAs的熔点为1238℃，密度为ρg•cm-3，其晶胞结构如图所示．该晶体的类型为___，Ga与As以___键键合．
（1）写出基态As原子的核外电子排布式___．
（2）根据元素周期律，原子半径Ga___As，第一电离能Ga___As．（填“大于”或“小于”）
（3）AsCl3分子的立体构型为___，其中As的杂化轨道类型为___．
（4）GaF3的熔点高于1000℃，GaCl3的熔点为77.9℃，其原因是___．
（5）GaAs的熔点为1238℃，密度为ρg•cm-3，其晶胞结构如图所示．该晶体的类型为___，Ga与As以___键键合．
▼优质解答
答案和解析
（1）As原子核外有33个电子，根据构造原理书写As原子核外电子排布式为[Ar]3d104s24p3，故答案为：[Ar]3d104s24p3；（2）同一周期元素，原子半径随着原子序数增大而减小，元素第一电离能随着原子序数增大而呈增大趋势...
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