如图，光滑绝缘的水平面桌面上有一边长为L、电阻为R的正方形导体框．匀强磁场区域宽度为2L、磁感应强度为B、方向垂直桌面向下．导体框的一边跟磁场边界平行，在外力作用下以恒定速

Question

如图，光滑绝缘的水平面桌面上有一边长为L、电阻为R的正方形导体框．匀强磁场区域宽度为2L、磁感应强度为B、方向垂直桌面向下．导体框的一边跟磁场边界平行，在外力作用下以恒定速度v穿过磁场．下列说法正确的是（　　）

A. 穿过磁场过程，外力做的功为

(2B2L3v)/(R)

B. 穿过磁场过程，导体框产生的焦耳热为

(2B2L3v)/(R)

C. 进入磁场过程，通过导体框某一横截面的电量为

(BL2)/(R)

D. 进入和离开磁场过程，通过导体框的电流大小都为

(BLv)/(R)，且方向相同

Answer 1

A、根据法拉第电磁感应定律，及闭合电路欧姆定律，则线圈穿过磁场过程产生的感应电流大小I=(BLv)/(R)，依据安培力公式F_安=BIL=(B2L2v)/(R)，
根据力做功表达式W=FS，那么只有在进与出磁场过程中，才有安培力，因此安培力做功W_安=(B2L2v)/(R)×2L=(2B2L3v)/(R)，由于在外力作用下以恒定速度v穿过磁场，则外力做的功为(2B2L3v)/(R)，故A正确；
B、由上分析可知，I=(BLv)/(R)，根据焦耳定律Q=I²Rt，那么穿过磁场过程，导体框产生的焦耳热为Q=（(BLv)/(R)）²×R×(2L)/(v)=(2B2L3v)/(R)，故B正确；
C、依据电量表达式q=It，及法拉第电磁感应定律，及闭合电路欧姆定律，即可推导电量的综合表达式q=(△∅)/(R)，
那么进入磁场过程，通过导体框某一横截面的电量为q=(BL2)/(R)，故C正确；
D、根据楞次定律，可知，进入和离开磁场过程，通过导体框的电流方向不同，但它们的大小是相同，即为(BLv)/(R)，故D错误；
故选：ABC．