（1）晶体硅（熔点1410℃）是良好的半导体材料．由粗硅制纯硅过程如下：Si（粗）Cl2460℃SiCl4蒸馏SiCl4（气

Question

（1）晶体硅（熔点1 410℃）是良好的半导体材料．由粗硅制纯硅过程如下：
Si（粗）

Cl2

460℃

SiCl₄

蒸馏

 SiCl₄（气）

H2

1100°C

Si（纯）
写出SiCl₄的电子式：___；在上述由SiCl₄制纯硅的反应中，测得每生成1.12kg纯硅需吸收a kJ热量，写出该反应的热化学方程式：___
（2）CuCl（s）与O₂反应生成CuCl₂（s）和一种黑色固体．在25℃、101kPa下，已知该反应每消耗1mol CuCl（s），放热44.4kJ，该反应的热化学方程式是___．

Answer 1

四氯化硅为共价化合物，氯原子和硅原子都达到8个电子，四氯化硅的电子式为，每生成1.12kg纯硅需吸收akJ热量，则生成1mol纯硅吸收的热量为(28a)/(1.12×103)KJ=0.025aKJ，所以该反应的热化学方程式为SiCl₄ （g）+2H₂ （g） (1100℃.)/()Si （s）+4HCl （g）；△H=+0.025a kJ•mol^-1，
故答案为：；SiCl₄ （g）+2H₂ （g） (1100℃.)/()Si （s）+4HCl （g）△H=+0.025a kJ•mol^-1；
（2）该反应每消耗1mol CuCl（s），放热44.4kJ，消耗4mol CuCl（s），则放热44.4kJ×4=177.6kJ，根据热化学方程式的书写方法，可以写出该反应的热化学方程式为4CuCl（s）+O₂（g）=2CuCl₂（s）+2CuO（s）△H=-177.6kJ/mol，
故答案为：4CuCl（s）+O₂（g）=2CuCl₂（s）+2CuO（s）△H=-177.6kJ/mol．