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模拟电路的基本问题:漂移运动的内容我有点不理解,求高手指点在高教版的模拟电子技术基础(第四版)书P14,提到的漂移运动的内容我有点不理解:(原文)定义是:在电场力作用下,载流子
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模拟电路的基本问题:漂移运动的内容我有点不理解,求高手指点
在高教版的模拟电子技术基础(第四版)书P14,提到的漂移运动的内容我有点不理解:(原文)定义是:在电场力作用下,载流子的运动称为漂移运动.(疑问在这)当空间电荷区形成后,在内电场作用下,少子产生漂移运动,空穴从N向P运动,而自由电子从P向N运动.为什么了?
在高教版的模拟电子技术基础(第四版)书P14,提到的漂移运动的内容我有点不理解:(原文)定义是:在电场力作用下,载流子的运动称为漂移运动.(疑问在这)当空间电荷区形成后,在内电场作用下,少子产生漂移运动,空穴从N向P运动,而自由电子从P向N运动.为什么了?
▼优质解答
答案和解析
如图,P区的载流子是空穴,N区的载流子是自由电子.P区和N区接触,由于浓度的差别,P区的空穴向N区移动,N区的自由电子向P区移动.两种载流子在接触面附近会中和,形成耗尽区,也就是说载流子少了.
N区靠近耗尽层的部分,原来原子核和自由电子带电数目相同,成中性不带电.现在自由电子少了,去P区了,空穴多了,P区来的,所以带正电.同理P区靠近耗尽层部分带负电.这就形成了内电场,方向由N区指向P区.在内电场的作用下,空穴带正电从正向负移动,即从N向P;自由电子带负电由负向正,即从P向N移动.与扩散移动的方向正好相反.这就是飘逸运动.
当扩散运动和飘逸运动达到一个动态平衡,就形成了PN结.
N区靠近耗尽层的部分,原来原子核和自由电子带电数目相同,成中性不带电.现在自由电子少了,去P区了,空穴多了,P区来的,所以带正电.同理P区靠近耗尽层部分带负电.这就形成了内电场,方向由N区指向P区.在内电场的作用下,空穴带正电从正向负移动,即从N向P;自由电子带负电由负向正,即从P向N移动.与扩散移动的方向正好相反.这就是飘逸运动.
当扩散运动和飘逸运动达到一个动态平衡,就形成了PN结.
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