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如图所示，一边长为a的正方形形闭合回路．虚线MN右侧有磁感应强度为B的匀强磁场，方向垂直于回路所在的平面．回路以速度v向右匀速进入磁场，边长CD始终与MN垂直．从DB边到达边界物理

段直导线始终不受安培力

如图，在光滑水平面上，有一竖直向下的匀强磁场，分布在宽为a的区域内，现有一边长为L（a＞L）的正方形闭和线框以垂直于磁场边界的初速度v0滑过磁场.线框刚好能穿过磁场.则线框物理

1 B．2：1 C．3：

如图所示，虚线为磁感应强度大小均为B的两匀强磁场的分界线，实线MN为它们的理想下边界。边长为L的正方形线圈电阻为R，ab边与MN重合，且可以绕过a点并垂直线圈平面的轴以角速度ω匀物理

图示的位置开始逆时针转动18

如图所示，正方形线圈边长为a，总电阻为R，以速度v从左至右匀速穿过两个宽均为L（L>a）、磁感应强度大小均为B但方向相反的匀强磁场区域，运动方向与线圈一边、磁场边界及磁场方向物理

如图所示，在边长为a的正方形区域内，有以对角线为边界、垂直于纸面的两个匀强磁场，磁感应强度大小相同、方向相反，纸面内一边长为a的正方形导线框沿x轴匀速穿过磁场区域，t=0时刻物理

是（　　）A. B. C.

如图所示，在光滑的水平面上，有一垂直向下的匀强磁场分布在宽为L的区域内，有一个边长为a（a 物理

如图所示，正方形匀强磁场的边界长为a，边界由绝缘弹性壁围成，磁场的磁感应强度为B，质量为m、电荷量为q的带正电粒子垂直于磁场方向和边界从边界正中点O处射入磁场，其射入时的速物理

不计摩擦，不计粒子所受重力，

如图所示，在光滑水平面上方，有两个磁感应强度大小均为B、方向相反的水平匀强磁场，如图所示，PQ为两个磁场的边界，磁场范围足够大.一个边长为a，质量为m，电阻为R的正方形金属线框物理

，则（　　） A. 此时线框

（2014•宣城模拟）如图所示，在光滑的水平面上宽度为L的区域内，有一竖直向下的匀强磁场．现有一个边长为a（a＜L）的正方形闭合线圈以垂直于磁场边界的初速度v0向右滑动，穿过磁场物理

(v0+v)2C．小于(v0

（2014•南昌模拟）如图所示，在边长为a的正方形区域内有匀强磁场，磁感应强度为B，其方向垂直纸面向外，一个边长也为a的单匝正方形导线框架EFGH正好与上述磁场区域的边界重合，导线物理

中虚线位置，则在这八分之一T

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