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2004年9月3日英国《自然》杂志报道，碳化硅是已知最硬的物质之一，其单晶体可制作半导体材料．但正是由于它硬度高，熔化及锻制的过程相当费劲，而且制成的晶片容易产生瑕疵，如杂质化学

找到了锻制碳化硅晶体的新方法

什么是声子?半导体物理的名词这个是半导体物理里面的名词,我们做要有这个”名词解释“,请问怎么解释.还有几个也是半导体物理的.表面强反型简并半导体施主与受主杂质.咋没兄弟回答后物理

下列关于半导体的说法中，错误的是（）A．半导体的导电性能介于导体与绝缘体之间B．温度、光照和杂质等外界因素对半导体的性能影响很大C．硅、锗、银等都是重要的半导体材料D．其他

半导体是一种重要的材料，它在现代生活中有着广泛的应用，半导体的导电性能介于绝缘体和导体之间，它有一些奇妙的特性：①电阻率随着温度的增加而减小；②微量的杂质对半导体物理

可以改变半导体的电阻．半导体

（2011•龙岩模拟）制作半导体时，需向单晶硅或其他晶体中掺入杂质．单晶硅内的原子是规则排列的，在两层电子间的间隙会形成如图甲所示的上下对称的匀强电场，设某空间存在上下对称物理

的带电小球从上边界以初速度v

半导体物理学作业题目提问。已知T=300K时，硅中受主杂质的浓度为NA=5x10^15cm^(-3),为形成N型杂质补偿半导体加入了施主杂质，费米能级位于导带底以下0.215eV处。问应加入多大浓度的施主原子其他

杂质半导体的多子浓度取决于1、在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于（C）.A.温度B.杂质浓度C.掺杂工艺D.晶体中的缺陷为什么不是B 物理

半导体硅掺磷后,杂质能级高还是费米能级高呢? 物理

轴烯可用作有机半导体基质材料的掺杂剂，部分轴烯的结构简如图所示．下列说法不正确的是（）碳原子数（n）681012…结构简式…A.轴烯的通式可表示为CnHnB.n=100的轴烯化学

两个碳碳三键的结构有6种D.

电子线路（模电问题）模电课本上说：在杂质半导体中,多子浓度近似等于掺杂浓度,其值几乎与温度无关,而少子浓度却随温度升高而显著增大,直到少子浓度增大到与多子浓度相当,杂质半导物理

增加,也就是n0会变很大,而

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