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2004年9月3日英国《自然》杂志报道,碳化硅是已知最硬的物质之一,其单晶体可制作半导体材料.但正是由于它硬度高,熔化及锻制的过程相当费劲,而且制成的晶片容易产生瑕疵,如杂质
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2004年9月3日英国《自然》杂志报道,碳化硅是已知最硬的物质之一,其单晶体可制作半导体材料.但正是由于它硬度高,熔化及锻制的过程相当费劲,而且制成的晶片容易产生瑕疵,如杂质、气泡等,这些物质会严重影响或削弱电流.因此,碳化硅一直无法被用来制造芯片.日本研究人员称,他们找到了锻制碳化硅晶体的新方法,使碳化硅晶片成本低、用途广、性能更可靠.下列有关碳化硅(SiC)的有关说法错误的是( )
A.晶体硅和晶体碳化硅都是原子晶体
B.碳化硅是一种新型的无机非金属材料
C.碳化硅的熔点比晶体硅高
D.制取碳化硅的反应:SiO2+3C
SiC+2CO↑中,SiO2是氧化剂,C是还原剂
A.晶体硅和晶体碳化硅都是原子晶体
B.碳化硅是一种新型的无机非金属材料
C.碳化硅的熔点比晶体硅高
D.制取碳化硅的反应:SiO2+3C
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▼优质解答
答案和解析
A.晶体硅和晶体碳化硅原子之间通过强烈的共价键结合而成的空间网状结构,都是原子晶体,故A正确; B.碳化硅是新型的无机非金属材料,故B正确;C.由于共价键C-C比Si-C键长更短,键能更大,所以碳化硅熔点应比晶体...
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