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图中有一个半径为r，总电阻为R的均匀导体圆环，环上放置两根平行直导线a、b，直导线电阻不计，直导线间的距离等于圆半径r．现将直导线a、b在环上自由移动，移动过程中a、b导线始终保物理

A．R8，R4B．R12，R

图中有一个半径为r，总电阻为R的均匀导体圆环，环上放置两根平行直导线a、b，直导线电阻不计，直导线间的距离等于圆半径r.现将直导线a、b在环上自由移动，移动过程中a、b导线始终保持物理

A. R8，R4B. R1

某个由导电介质制成的电阻截面如图所示.导电介质的电阻率为ρ，制成内、外半径分别为a和b的半球壳层形状（图中阴影部分），半径为a、电阻不计的球形电极被嵌入导电介质的球心成为一物理

面给出R的四个表达式中只有一

（2013•莱芜模拟）某个由导电介质制成的电阻截面如图所示．导电介质的电阻率为ρ，制成内、外半径分别为a和b的半球壳层形状（图中阴影部分），半径为a、电阻不计的球形电极被嵌入导其他

设该电阻的阻值为R．下面给出

如图所示，在半径为R的虚线圆内有垂直纸面向里的匀强磁场，磁感应强度B随时间变化关系为B=B0+kt.在磁场外距离圆心O为2R处有一半径恰为2R的半圆导线环（图中实线），则导线环中的感应电物理

如图所示，在半径为R的虚线圆内有垂直纸面向里的匀强磁场，磁感应强度B随时间变化关系为B=B0+kt．在磁场外距离圆心O为2R处有一半径恰为2R的半圆导线环（图中实线），则导线环中的感应其他

如图所示，在半径为R的虚线圆内有垂直纸面向里的匀强磁场，磁感应强度B随时间变化关系为B=B0+kt.在磁场外距离圆心O为2R处有一半径恰为2R的半圆导线环（图中实线），则导线环中的感应电物理

（2006•东城区一模）半导体材料硅中掺砷后成为N型半导体，它的自由电子的浓度大大增加，导电能力也大大增加．一块N型半导体的样品的体积为a×b×c，A’、C、A、C’为其四个侧面，如图物理

放在匀强磁场中，磁场方向沿Z

半导体材料硅中掺砷后成为N型半导体，它的自由电子的浓度大大增加，导电能力也大大增加。一块N型半导体的样品的体积为a×b×c，A′、C、A、C′为其四个侧面，如图所物理

e 。将半导体样品放在匀强

霍尔效应广泛应用于半导体材料的测试和研究中，例如应用霍尔效应测试半导体是电子型还是空穴型，研究半导体内载流子浓度的变化等．在霍尔效应实验中，如图所示，ab宽为1cm，ad长为4cm 物理

匀强磁场垂直向里穿过abcd

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