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微电子的题,会的来帮个忙吧(会多数题也行啊)一、名词解释1.导带、价带、禁带2.施主和受主3.本征半导体、n型半导体、p型半导体二、简答题1.半导体中的载流子有哪两种?载流子的输运
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微电子的题,会的来帮个忙吧(会多数题也行啊)
一、名词解释
1. 导带、价带、禁带
2. 施主和受主
3. 本征半导体、n型半导体、p型半导体
二、简答题
1. 半导体中的载流子有哪两种?载流子的输运指什么?在半导体中载流子的输运方式有那些,对这些输运模式进行简单描述,并写出相应的电流方程.
2. 试画出nmos的结构剖面示意图,并定性说明其工作原理,给出其直流特性曲线,标出各区名称.
3. 什么是本征半导体浓度?平衡半导体中,电子和空穴的浓度有什么关系?
三、计算题
1. 试计算常温下(300K)掺杂浓度分别为1×1013cm-3和1×1020cm-3的P型半导体的电阻率.
2. 试计算硅单边p+-n突变结常温下(300K)的自建电势、自然耗尽层宽度.最大击穿电压及相应耗尽层宽度.已知p+区掺杂浓度为1×1019cm-3;n区掺杂浓度为1×1013cm-3,相应临界击穿电场强度大小为2.5×105V/cm.
提示:利用公式 及
四、画图题
画出CMOS三输入与非门的电路图
一、名词解释
1. 导带、价带、禁带
2. 施主和受主
3. 本征半导体、n型半导体、p型半导体
二、简答题
1. 半导体中的载流子有哪两种?载流子的输运指什么?在半导体中载流子的输运方式有那些,对这些输运模式进行简单描述,并写出相应的电流方程.
2. 试画出nmos的结构剖面示意图,并定性说明其工作原理,给出其直流特性曲线,标出各区名称.
3. 什么是本征半导体浓度?平衡半导体中,电子和空穴的浓度有什么关系?
三、计算题
1. 试计算常温下(300K)掺杂浓度分别为1×1013cm-3和1×1020cm-3的P型半导体的电阻率.
2. 试计算硅单边p+-n突变结常温下(300K)的自建电势、自然耗尽层宽度.最大击穿电压及相应耗尽层宽度.已知p+区掺杂浓度为1×1019cm-3;n区掺杂浓度为1×1013cm-3,相应临界击穿电场强度大小为2.5×105V/cm.
提示:利用公式 及
四、画图题
画出CMOS三输入与非门的电路图
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答案和解析
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