下面是改良西门子法生产多晶硅的工艺流程．（1）用惰性电极电解饱和食盐水，写出常温下X与Z反应的化学方程式．（2）在合成SiHCl3的过程中，还会有生成副产物SiCl4．已知两物质的沸点

Question

下面是改良西门子法生产多晶硅的工艺流程．

（1）用惰性电极电解饱和食盐水，写出常温下X与Z反应的化学方程式___．
（2）在合成SiHCl₃的过程中，还会有生成副产物SiCl₄．已知两物质的沸点分别为57.6℃和31.8℃，则提纯SiHCl₃的方法是___．
（3）SiHCl₃提纯后用H₂还原：SiHCl₃（g）+H₂（g）⇌Si（s）+3HCl（g）．不同温度及不同 (n(H2))/(n(SiHCl3))时，反应物X的平衡转化率关系如图图1所示．

①X是___（填“H₂”或“SiHCl₃”）．
②上述反应的平衡常数K（1150℃）___K（950℃）（填“>”、“<”或“=”）．
（4）SiH₄（硅烷）法生产高纯多晶硅是非常优异的方法．用粗硅作原料，熔融盐电解法制取硅烷原理如图2所示，电解时阳极的电极反应式为___．

Answer 1

（1）用惰性电极电解饱和食盐水生成氢氧化钠、氢气和氯气，又Y与Z点燃反应，则X为氢氧化钠，所以常温下X与Z反应的化学方程式Cl2+2NaOH=NaCl+NaClO+H2O，故答案为：Cl2+2NaOH=NaCl+NaClO+H2O；（2）因为两物质的沸点...