以氮化镓(GaN)为代表的第三代半导体材料目前已成为全球半导体研究的前沿和热点。回答下列问题：（1）镓为元素周期表第31号元素，镓原子价层电子排布图为。（2）氮所

Question

以氮化镓(GaN)为代表的第三代半导体材料目前已成为全球半导体研究的前沿和热点。回答下列问题：
（1）镓为元素周期表第31号元素，镓原子价层电子排布图为__________________。
（2）氮所在主族中第一电离能最大的元素是___________（填元素符号，下同），镓所在主族中电负性最大的元素是_____________________。
（3）传统的氮化镓制备方法是采用CaCl ₃ 与NH ₃ 在一定条件下反应，该反应的化学方程式为_________________。
（4）氮化镓与金刚石具有相似的晶体结构，氮化镓中氮原子与镓原子之间以__________相结合，氮化镓属于______________晶体。
（5）下图是氮化镓的晶胞模型：

①氮化镓中镓原子的杂化方式为_______________，氮原子的配位数为__________________。
②氮化镓为立方晶胞，氮化镓的密度为 。列出计算氮化镓晶胞边长a的表达式：a=_______cm。

Answer 1

（1）
（2）N      B 
（3）GaCl ₃ ＋NH ₃ =GaN＋3HCl
（4）共价键    原子
（5）①sp ³      4     ②