（2012•宿迁模拟）一质量为m的椭圆形导体框平放在水平桌面上，椭圆的长轴平行宽度为d的匀强磁场边界，短轴小于d．磁场竖直向下，俯视如图．导体框刚左力刚进磁场时速度为v0（v0垂直

Question

（2012•宿迁模拟）一质量为m的椭圆形导体框平放在水平桌面上，椭圆的长轴平行宽度为d的匀强磁场边界，短轴小于d．磁场竖直向下，俯视如图．导体框刚左力刚进磁场时速度为v₀（v₀垂直磁场边界），导体框全部出磁场后的速度为v₁；导体框进入磁场过程中产生的焦耳热为Q₁，离开磁场过程中产生的焦耳热为Q₂．下列说法正确的是（　　）

A．导体框离开磁场过程中，感应电流的方向为顺时针方向
B．导体框进出磁场都是做匀变速直线运动
C．Q₁＞Q₂
D．Q₁+Q₂=(1)/(2)m（v₀²-v₁²）

Answer 1

A、导线框离开磁场时，磁通量减小，根据楞次定律可知感应电流的方向为顺时针方向．故A正确．
B、导线框在进出磁场时，受到向左的安培力作用，速度在变化，则感应电动势变化，产生的感应电流变化，则所受的安培力变化，根据牛顿第二定律知，加速度变化，所以导线框做的变减速运动．故B错误．
C、因为进磁场时的速度大于出磁场时的速度，则进磁场时产生的电流要比出磁场时产生的电流大，根据克服安培力做功知，Q₁＞Q₂．故C正确．
D、根据能量守恒定律知，线框动能的减小量全部转化为焦耳热，则Q₁+Q₂=(1)/(2)m（v₀²-v₁²）．故D正确．
故选：ACD．