如图所示,MN右侧有一正三角形匀强磁场区域(边缘磁场忽略不计),上边界与MN垂直.现有一与磁场边界完全相同的三角形导体框,从MN左侧垂直于MN匀速向右运动.导体框穿过磁场过程中
如图所示,MN右侧有一正三角形匀强磁场区域(边缘磁场忽略不计),上边界与MN垂直.现有一与磁场边界完全相同的三角形导体框,从MN左侧垂直于MN匀速向右运动.导体框穿过磁场过程中所受安培力F的大小随时间变化的图象以及感应电流i随时间变化的图象正确的是(取逆时针电流为正)( )
A.
B.
C.
D.
线框进入磁场的过程,根据右手定则可知,电流方向为逆时针,即为正方向,线框所受的安培力方向向左,t时刻线框有效切割长度L=vt•tan60°=
3 |
3 |
E |
R |
| ||
R |
根据安培力公式F=BIL=
B2L2v |
R |
3B2v3t2 |
R |
同理,线框离开磁场的过程,回路中磁通量减小,产生的感应电流为顺时针,方向为负方向,安培力方向向左.此过程线框有效切割长度L=(a-vt)tan60°=
3 |
BLv |
R |
| ||
R |
B2L2v |
R |
3B2v(a-vt)2 |
R |
故选:BC.
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