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晶体管工作在放大区时的偏置状态为（）.A.b与e极,b与c极间均正向偏置B.b与e极,b与c极间均反偏C.b与e极间正偏,b与c极间反偏D.b与e极间反偏,b与c极间正偏二极管的伏安特性反映了（）.A.ID与
题目详情
晶体管工作在放大区时的偏置状态为（ ）.
A.b与e极,b与 c极间均正向偏置
B.b与e极,b与 c极间均反偏
C.b与e极间正偏,b与c极间反偏
D.b与e极间反偏,b与c极间正偏
二极管的伏安特性反映了（ ）.
A.ID与VD之间的关系 B.单向导电性
C.非线性 D.以上各项都成立
电子电路里常用的双极型三极管是（ ）.
A.电压控制器件 B.电流控制器件
C.其它物理量控制器件 D.以上各项都不是
晶体管工作在截止区时的偏置状态为（ ）.
A.b与e极,b与 c极间均正向偏置
B.b与e极,b与 c极间均反偏
C.b与e极间正偏,b与c极间反偏
D.b与e极间反偏,b与c极间正偏
晶体管中电流分配关系为（ ）.
A.IB=IC+IE B.IC=IB+IE
C.IE=IC+IB D.IE≥IC+IB
在杂质半导体中,少数载流子的浓度变化主要取决于（ ）.
A.搀杂工艺 B.杂质浓度
C.温度 D.晶体缺陷
晶体三极管用于放大时,应使其发射结、集电结处于（ ）.
A.发射结正偏、集电结反偏 B.发射结正偏、集电结正偏
C.发射结反偏、集电结正偏 D.发射结反偏、集电结反偏
在某放大电路中,测得三极管三个电极的静态电位分别为2V、2.7V、6V,则这只三极管为（ ）.
A.NPN型硅管 B.NPN型锗管
C.PNP型硅管 D.PNP型锗管
P型半导体的形成是在纯硅或纯锗中加入了（ ）.
A.空穴 B.三价元素
C.五价元素 D.正离子
本征半导体温度升高后,自由电子和空穴的变化情况是（ ）.
A.自由电子数目增加,空穴数目不变
B.空穴数目增加,自由电子数目不变
C.自由电子和空穴数目都增多,且增量相同
D.自由电子和空穴数目不变
NPN型和PNP型三极管的区别是（ ）.
A.由两种不同的材料硅或锗构成
B.掺入的杂质不同
C.P区和N区的位置不同
D.所加的正负电源不同
二极管在反向截止区的反向电流（ ）.
A.随反向电压升高而升高
B.随反向电压升高而急剧升高
C.基本保持不变
D.随反向电压升高而减小
PN结的宽度稳定后（ ）.
A.载流子便停止运动
B.只有少数载流子的漂移运动
C.只有多数载流子的扩散运动
D.漂移与扩散运动达到动态平衡
二极管导通的条件是加在二极管两端的电压（ ）.
A.正向电压大于PN结的死区电压
B.正向电压等于零
C.必须加反向电压
D.以上各项都不是
A.b与e极,b与 c极间均正向偏置
B.b与e极,b与 c极间均反偏
C.b与e极间正偏,b与c极间反偏
D.b与e极间反偏,b与c极间正偏
二极管的伏安特性反映了（ ）.
A.ID与VD之间的关系 B.单向导电性
C.非线性 D.以上各项都成立
电子电路里常用的双极型三极管是（ ）.
A.电压控制器件 B.电流控制器件
C.其它物理量控制器件 D.以上各项都不是
晶体管工作在截止区时的偏置状态为（ ）.
A.b与e极,b与 c极间均正向偏置
B.b与e极,b与 c极间均反偏
C.b与e极间正偏,b与c极间反偏
D.b与e极间反偏,b与c极间正偏
晶体管中电流分配关系为（ ）.
A.IB=IC+IE B.IC=IB+IE
C.IE=IC+IB D.IE≥IC+IB
在杂质半导体中,少数载流子的浓度变化主要取决于（ ）.
A.搀杂工艺 B.杂质浓度
C.温度 D.晶体缺陷
晶体三极管用于放大时,应使其发射结、集电结处于（ ）.
A.发射结正偏、集电结反偏 B.发射结正偏、集电结正偏
C.发射结反偏、集电结正偏 D.发射结反偏、集电结反偏
在某放大电路中,测得三极管三个电极的静态电位分别为2V、2.7V、6V,则这只三极管为（ ）.
A.NPN型硅管 B.NPN型锗管
C.PNP型硅管 D.PNP型锗管
P型半导体的形成是在纯硅或纯锗中加入了（ ）.
A.空穴 B.三价元素
C.五价元素 D.正离子
本征半导体温度升高后,自由电子和空穴的变化情况是（ ）.
A.自由电子数目增加,空穴数目不变
B.空穴数目增加,自由电子数目不变
C.自由电子和空穴数目都增多,且增量相同
D.自由电子和空穴数目不变
NPN型和PNP型三极管的区别是（ ）.
A.由两种不同的材料硅或锗构成
B.掺入的杂质不同
C.P区和N区的位置不同
D.所加的正负电源不同
二极管在反向截止区的反向电流（ ）.
A.随反向电压升高而升高
B.随反向电压升高而急剧升高
C.基本保持不变
D.随反向电压升高而减小
PN结的宽度稳定后（ ）.
A.载流子便停止运动
B.只有少数载流子的漂移运动
C.只有多数载流子的扩散运动
D.漂移与扩散运动达到动态平衡
二极管导通的条件是加在二极管两端的电压（ ）.
A.正向电压大于PN结的死区电压
B.正向电压等于零
C.必须加反向电压
D.以上各项都不是
▼优质解答
答案和解析
晶体管工作在放大区时的偏置状态为（C）.
A.b与e极,b与 c极间均正向偏置
B.b与e极,b与 c极间均反偏
C.b与e极间正偏,b与c极间反偏
D.b与e极间反偏,b与c极间正偏
二极管的伏安特性反映了（D）.
A.ID与VD之间的关系 B.单向导电性
C.非线性 D.以上各项都成立
电子电路里常用的双极型三极管是（A）.
A.电压控制器件 B.电流控制器件
C.其它物理量控制器件 D.以上各项都不是
晶体管工作在截止区时的偏置状态为（C）.
A.b与e极,b与 c极间均正向偏置
B.b与e极,b与 c极间均反偏
C.b与e极间正偏,b与c极间反偏
D.b与e极间反偏,b与c极间正偏
晶体管中电流分配关系为（C）.
A.IB=IC+IE B.IC=IB+IE
C.IE=IC+IB D.IE≥IC+IB
在杂质半导体中,少数载流子的浓度变化主要取决于（C）.
A.搀杂工艺 B.杂质浓度
C.温度 D.晶体缺陷
晶体三极管用于放大时,应使其发射结、集电结处于（A）.
A.发射结正偏、集电结反偏 B.发射结正偏、集电结正偏
C.发射结反偏、集电结正偏 D.发射结反偏、集电结反偏
在某放大电路中,测得三极管三个电极的静态电位分别为2V、2.7V、6V,则这只三极管为（A）.
A.NPN型硅管 B.NPN型锗管
C.PNP型硅管 D.PNP型锗管
P型半导体的形成是在纯硅或纯锗中加入了（B）.
A.空穴 B.三价元素
C.五价元素 D.正离子
本征半导体温度升高后,自由电子和空穴的变化情况是（C）.
A.自由电子数目增加,空穴数目不变
B.空穴数目增加,自由电子数目不变
C.自由电子和空穴数目都增多,且增量相同
D.自由电子和空穴数目不变
NPN型和PNP型三极管的区别是（C）.
A.由两种不同的材料硅或锗构成
B.掺入的杂质不同
C.P区和N区的位置不同
D.所加的正负电源不同
二极管在反向截止区的反向电流（C）.
A.随反向电压升高而升高
B.随反向电压升高而急剧升高
C.基本保持不变
D.随反向电压升高而减小
PN结的宽度稳定后（D）.
A.载流子便停止运动
B.只有少数载流子的漂移运动
C.只有多数载流子的扩散运动
D.漂移与扩散运动达到动态平衡
二极管导通的条件是加在二极管两端的电压（A）.
A.正向电压大于PN结的死区电压
B.正向电压等于零
C.必须加反向电压
D.以上各项都不是
A.b与e极,b与 c极间均正向偏置
B.b与e极,b与 c极间均反偏
C.b与e极间正偏,b与c极间反偏
D.b与e极间反偏,b与c极间正偏
二极管的伏安特性反映了（D）.
A.ID与VD之间的关系 B.单向导电性
C.非线性 D.以上各项都成立
电子电路里常用的双极型三极管是（A）.
A.电压控制器件 B.电流控制器件
C.其它物理量控制器件 D.以上各项都不是
晶体管工作在截止区时的偏置状态为（C）.
A.b与e极,b与 c极间均正向偏置
B.b与e极,b与 c极间均反偏
C.b与e极间正偏,b与c极间反偏
D.b与e极间反偏,b与c极间正偏
晶体管中电流分配关系为（C）.
A.IB=IC+IE B.IC=IB+IE
C.IE=IC+IB D.IE≥IC+IB
在杂质半导体中,少数载流子的浓度变化主要取决于（C）.
A.搀杂工艺 B.杂质浓度
C.温度 D.晶体缺陷
晶体三极管用于放大时,应使其发射结、集电结处于（A）.
A.发射结正偏、集电结反偏 B.发射结正偏、集电结正偏
C.发射结反偏、集电结正偏 D.发射结反偏、集电结反偏
在某放大电路中,测得三极管三个电极的静态电位分别为2V、2.7V、6V,则这只三极管为（A）.
A.NPN型硅管 B.NPN型锗管
C.PNP型硅管 D.PNP型锗管
P型半导体的形成是在纯硅或纯锗中加入了（B）.
A.空穴 B.三价元素
C.五价元素 D.正离子
本征半导体温度升高后,自由电子和空穴的变化情况是（C）.
A.自由电子数目增加,空穴数目不变
B.空穴数目增加,自由电子数目不变
C.自由电子和空穴数目都增多,且增量相同
D.自由电子和空穴数目不变
NPN型和PNP型三极管的区别是（C）.
A.由两种不同的材料硅或锗构成
B.掺入的杂质不同
C.P区和N区的位置不同
D.所加的正负电源不同
二极管在反向截止区的反向电流（C）.
A.随反向电压升高而升高
B.随反向电压升高而急剧升高
C.基本保持不变
D.随反向电压升高而减小
PN结的宽度稳定后（D）.
A.载流子便停止运动
B.只有少数载流子的漂移运动
C.只有多数载流子的扩散运动
D.漂移与扩散运动达到动态平衡
二极管导通的条件是加在二极管两端的电压（A）.
A.正向电压大于PN结的死区电压
B.正向电压等于零
C.必须加反向电压
D.以上各项都不是
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