已知，一个可逆反应，若正反应为自发过程，则其逆反应为非自发过程，反之，亦然。(1)已知2CO(g)CO2(g)＋C(s)，T＝980K时ΔH－TΔS＝0。当体系温度低于980K时，估计ΔH－T

Question

已知，一个可逆反应，若正反应为自发过程，则其逆反应为非自发过程，反之，亦然。

(1)已知2CO(g) CO ₂ (g)＋C(s)， T ＝980 K时Δ H － T Δ S ＝0。当体系温度低于980 K时，估计Δ H － T Δ S ____0(填“大于”、“小于”或“等于”，下同)；当体系温度高于980 K时，估计Δ H － T Δ S ____0。

(2)电子工业中清洗硅片上的SiO ₂ (s)的反应为

SiO ₂ (s)＋4HF(g)===SiF ₄ (g)＋2H ₂ O(g)

Δ H (298.15 K)＝－94.0 kJ·mol ^－1

Δ S (298.15 K)＝－75.8 J·mol ^－1 ·K ^－1 ，

设Δ H 和Δ S 不随温度而变化，则此反应自发进行的温度是________________。

已知，一个可逆反应，若正反应为自发过程，则其逆反应为非自发过程，反之，亦然。

(1)已知2CO(g) CO ₂ (g)＋C(s)， T ＝980 K时Δ H － T Δ S ＝0。当体系温度低于980 K时，估计Δ H － T Δ S ____0(填“大于”、“小于”或“等于”，下同)；当体系温度高于980 K时，估计Δ H － T Δ S ____0。

(2)电子工业中清洗硅片上的SiO ₂ (s)的反应为

SiO ₂ (s)＋4HF(g)===SiF ₄ (g)＋2H ₂ O(g)

Δ H (298.15 K)＝－94.0 kJ·mol ^－1

Δ S (298.15 K)＝－75.8 J·mol ^－1 ·K ^－1 ，

设Δ H 和Δ S 不随温度而变化，则此反应自发进行的温度是________________。

已知，一个可逆反应，若正反应为自发过程，则其逆反应为非自发过程，反之，亦然。

(1)已知2CO(g) CO ₂ (g)＋C(s)， T ＝980 K时Δ H － T Δ S ＝0。当体系温度低于980 K时，估计Δ H － T Δ S ____0(填“大于”、“小于”或“等于”，下同)；当体系温度高于980 K时，估计Δ H － T Δ S ____0。

₂ T H T S H T S H T S

(2)电子工业中清洗硅片上的SiO ₂ (s)的反应为

₂

SiO ₂ (s)＋4HF(g)===SiF ₄ (g)＋2H ₂ O(g)

_{2 4 2}

Δ H (298.15 K)＝－94.0 kJ·mol ^－1

H ^－1

Δ S (298.15 K)＝－75.8 J·mol ^－1 ·K ^－1 ，

S ^{－1 －1}

设Δ H 和Δ S 不随温度而变化，则此反应自发进行的温度是________________。

H S

Answer 1

(1)小于　大于　(2)小于1 240 K 解析　(1)C(s)＋CO2(g)2CO(g)的反应为吸热反应，ΔH＞0，则2CO(g)CO2(g)＋C(s)为放热反应，ΔH＜0，且该反应的ΔS＜0，则当T＜980 K时，ΔH－TΔS<0，T＞980 K时，ΔH－TΔS＞0。 (2)由题给信息，要使反应能自发进行，须有ΔH－TΔS<0，即－94.0 kJ·mol－1－T×(－75.8 J·mol－1·K－1)×10－3 kJ·J－1<0，则T<＝1.24×103 K。

(1)小于　大于　(2)小于1 240 K 解析　(1)C(s)＋CO2(g)2CO(g)的反应为吸热反应，ΔH＞0，则2CO(g)CO2(g)＋C(s)为放热反应，ΔH＜0，且该反应的ΔS＜0，则当T＜980 K时，ΔH－TΔS<0，T＞980 K时，ΔH－TΔS＞0。 (2)由题给信息，要使反应能自发进行，须有ΔH－TΔS<0，即－94.0 kJ·mol－1－T×(－75.8 J·mol－1·K－1)×10－3 kJ·J－1<0，则T<＝1.24×103 K。