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如图所示,在水平界面EF、GH、JK间,分布着两个匀强磁场,两磁场方向水平且相反大小均为B,两磁场高均为L宽度无限.一个框面与磁场方向垂直、质量为m电阻为R、边长也为上的正方形金属
题目详情
如图所示,在水平界面EF、GH、JK间,分布着两个匀强磁场,两磁场方向水平且相反大小均为B,两磁场高均为L宽度无限.一个框面与磁场方向垂直、质量为m电阻为R、边长也为上的正方形金属框abcd,从某一高度由静止释放,当ab边刚进入第一个磁场时,金属框恰好做匀速点线运动,当ab边下落到GH和JK之间的某位置时,又恰好开始做匀速直线运动.整个过程中空气阻力不计.则( )
A. 金属框穿过匀强磁场过程中,所受的安培力保持不变
B. 金属框从ab边始进入第一个磁场到刚到达第二个磁场下边界JK过程中产生的热量为2mgL
C. 金属框开始下落时ab边距EF边界的距离h=
D. 当ab边下落到GH和JK之间做匀速运动的速度v2=
A. 金属框穿过匀强磁场过程中,所受的安培力保持不变
B. 金属框从ab边始进入第一个磁场到刚到达第二个磁场下边界JK过程中产生的热量为2mgL
C. 金属框开始下落时ab边距EF边界的距离h=
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2
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D. 当ab边下落到GH和JK之间做匀速运动的速度v2=
mgR |
4B2L2 |
▼优质解答
答案和解析
A、开始时,金属框所受的重力与安培力相等,做匀速直线运动,当ab边越过GH,回路产生的感应电动势增大,感应电流增大,线框所受的安培力比之前大.故A错误.
B、设金属框ab边刚进入磁场时的速度为v1,当ab边下落到GH和JK之间的某位置时,又恰好开始做匀速直线运动的速度为v2,由题意知,v2<v1,对ab边刚进入磁场,到刚到达第二个磁场的下边界过程中,运用能量守恒得,mg•2L+
m(v12-v22)=Q,故B错误.
C、从某一高度由静止释放,当ab边刚进入第一个磁场时,金属框恰好做匀速直线运动,有:mg=
,解得v=
,根据机械能守恒定律得,mgh=
mv2,解得h=h=
.故C错误.
D、当ab边下落到GH和JK之间做匀速运动时,有:FA=2BIL=2B
L=
,又mg=FA,则v2=
.故D正确.
故选D.
B、设金属框ab边刚进入磁场时的速度为v1,当ab边下落到GH和JK之间的某位置时,又恰好开始做匀速直线运动的速度为v2,由题意知,v2<v1,对ab边刚进入磁场,到刚到达第二个磁场的下边界过程中,运用能量守恒得,mg•2L+
1 |
2 |
C、从某一高度由静止释放,当ab边刚进入第一个磁场时,金属框恰好做匀速直线运动,有:mg=
B2L2v |
R |
mgR |
B2L2 |
1 |
2 |
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2
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D、当ab边下落到GH和JK之间做匀速运动时,有:FA=2BIL=2B
2BLv2 |
R |
4B2L2v2 |
R |
mgR |
4B2L2 |
故选D.
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