元素周期表中的第ⅢA、ⅣA、ⅤA族的部分元素往往易形成原子晶体，氮化铝、磷化硼和砷化镓属于此列，如氮化铝晶体中每个Al原子与4个N原子相连，每个N原子也与4个Al原子相连，晶胞

Question

元素周期表中的第ⅢA、ⅣA、ⅤA族的部分元素往往易形成原子晶体，氮化铝、磷化硼和砷化镓属于此列，如氮化铝晶体中每个Al原子与4个N原子相连，每个N原子也与4个Al原子相连，晶胞如右图所示．磷化硼是一种受到高度关注的耐磨涂料，它可用作金属的表面保护层；砷化镓属于第三代半导体，它能直接将电能转变为光能，砷化镓灯泡寿命是普通灯泡的100倍，而耗能只有其10%．试回答下列问题：
（1）下列离子中最外层电子数不为8的是______（选填序号）．
A．P ^3-            B．Al ³⁺            C．Ti ⁴⁺          D．Ga ³⁺
（2）下列说法正确的是______（选填序号）．
A．硼和镓都属于S区元素，磷、砷属于P区元素
B．第一电离能：As＞Ga    Mg＞Al
C．根据等电子体原理，砷化镓、磷化硼的晶胞与氮化铝晶体相同且类似于单晶硅
D．NH ₃ 沸点高于AsH ₃ ，其原因是NH ₃ 分子中共价键强度较大
（3）砷化镓可由（CH ₃ ） ₃ Ga和AsH ₃ 反应得到，该反应在700℃进行，反应的化学方程式为______；
下列有机分子中碳原子的杂化方式与（CH ₃ ） ₃ Ga分子中Ga原子的杂化方式相同的是______．（填序号）
A．CH ₄ B．CH ₂ =CH ₂ C．CH≡CH      D．HCHO      E．


（4）请画出三溴化磷分子的路易斯结构式______，请判断三溴化硼分子属于______（填“极性”“非极性”）分子．

Answer 1

（1）A．P ^3- 核外有3个电子层，最外层有8个电子，故不选；          
B．Al ³⁺ 核外有2个电子层，最外层有8个电子，故不选；         
C．Ti ⁴⁺ 核外有18个电子，最外层有8个电子，故不选；       
D．Ga ³⁺ 核外有28个电子，最外层有18个电子，故选；
故选D；
（2）A．除了ds区外，区的名称来自按构造原理最后填入电子的能级的符号，所以硼、镓、磷、砷都属于P区元素，故错误；
B．同一周期第一电离能：第VA族大于第IIIA族，第IIA族大于第IIIA族，所以As＞Ga、Mg＞Al，故正确；
C．等电子体结构相似，所以砷化镓、磷化硼的晶胞与氮化铝晶体相同且类似于单晶硅，故正确；
D．含有氢键的物质沸点较大，氨气中存在氢键，AsH ₃ 中不含氢键，所以NH ₃ 沸点高于AsH ₃ ，故错误；
故选BC；
（3）在700℃时，（CH ₃ ） ₃ Ga和AsH ₃ 反应生成GaAs和甲烷，反应方程式为：（CH ₃ ） ₃ Ga+AsH ₃

700℃

GaAs+3CH ₄ ，（CH ₃ ） ₃ Ga分子中Ga原子含有3个σ键且不含孤电子对，所以Ga原子的杂化方式是sp ² ，
A．CH ₄ 中碳原子含有4个σ键且不含孤电子对，所以采用sp ³ 杂化，故不选；
B．CH ₂ =CH ₂ 中碳原子含有3个σ键且不含孤电子对，所以采用sp ² 杂化，故选；
C．CH≡CH中碳原子含有2个σ键且不含孤电子对，所以采用sp杂化，故不选；      
D．HCHO 中碳原子含有3个σ键且不含孤电子对，所以采用sp ² 杂化，故选；     
E．

中碳原子含有3个σ键且不含孤电子对，所以采用sp ² 杂化，故选；
故答案为：（CH ₃ ） ₃ Ga+AsH ₃

700℃

GaAs+3CH ₄ ，BDE；

（4）三溴化磷分子的路易斯结构式为：



，三溴化硼分子中B原子价层电子对=3+ (1)/(2) (3-3×1) =3，且不含孤电子对，所以是平面正三角形结构，属于对称结构，正负电荷重心重合，属于非极性分子，故答案为：



，非极性．