磷化硼是一种受关注的耐磨涂层材料，可作为钛等金属表面的保护薄膜．（1）三溴化硼和三溴化磷在高温条件下与氢气反应可制得磷化硼．①磷原子中存在种不同能量的电子，电子占据的

Question

磷化硼是一种受关注的耐磨涂层材料，可作为钛等金属表面的保护薄膜．
（1）三溴化硼和三溴化磷在高温条件下与氢气反应可制得磷化硼．
①磷原子中存在___种不同能量的电子，电子占据的最高能层符号为___．
②上述反应的化学方程式为___．
③常温下，三溴化磷是淡黄色发烟液体，可溶于丙酮、四氯化碳中，该物质属于
___晶体（填晶体类型）．
（2）酸碱质子理论认为，在反应过程中能给出质子的物质称为酸，如H₃PO₄；酸碱电子理论认为，可以接受电子对的物质称为路易斯酸，如硼酸[B（OH）₃]．
①已知pK_a=-lgK_a，酸性：BrCH₂COOH>CH₃COOH．据此推测，
pK_a：AtCH₂COOH___ClCH₂COOH（填“>”、“<”、“=”）
②磷酸是三元酸，写出两个与PO₄^3-具有相同空间构型和键合形式的分子或离子___．
③硼酸是一元弱酸，它在水中表现出来的弱酸性，并不是自身电离出氢离子所致，而是水分子与B（OH）₃加合，生成一个酸根离子，请写出该阴离子的结构简式___．（若存在配位键需标出）
（3）高温陶瓷材料Si₃N₄的成键方式如图1所示，结构中N-Si-N的键角比Si-N-Si的键角来得大，其原因是___．

（4）磷化硼的晶体结构如图2所示．晶胞中P原子的堆积方式为___（填“简单立方”、“体心立方”或“面心立方最密”）堆积．若该晶体中最邻近的两个P原子之间的距离为a nm，则晶体密度为___g•cm^-3．（列出计算式）

Answer 1

（1）①P原子核外有1s、2s、2p、3s、3p五种能级，一种能级有一种能量的电子；电子占据的最高能层符号为M，故答案为：5；M；
②根据反应条件和反应物、生成物书写方程式为BBr₃+PBr₃+3H₂(高温.)/() BP+6HBr，故答案为：BBr₃+PBr₃+3H₂(高温.)/() BP+6HBr；
③分子晶体熔沸点较低，常温下，三溴化磷是淡黄色发烟液体，可溶于丙酮、四氯化碳中，该晶体熔沸点较低，说明为分子晶体，故答案为：分子；
（2）①酸的酸性越强，该酸溶液的pK_a越小，酸性：BrCH₂COOH>CH₃COOH，据此推测，酸性AtCH₂COOH<ClCH₂COOH，则pK_a：AtCH₂COOH>ClCH₂COOH，故答案为：>；
②等电子体的结构和键合形式相同，则与磷酸根离子互为等电子体的微粒为SO₄^2-、ClO₄^-等合理答案，故答案为：SO₄^2-、ClO₄^-等合理答案；
③硼酸电离方程式为B（OH）₃+H₂0⇌+H⁺，据此书写其电离出阴离子结构式为，故答案为：；
（4）N、Si原子均采取sp³杂化，一个Si原子与4个N原子成键，N-Si-N的键角为109.5°，而一个N原子与3个Si原子成键，N上还有一对孤对电子，孤电子对与成键电子对间的排斥力大于成键电子对之间的排斥力，所以Si-N-Si的键角更小，
故答案为：N、Si原子均采取sp³杂化，一个Si原子与4个N原子成键，N-Si-N的键角为109.5°，而一个N原子与3个Si原子成键，N上还有一对孤对电子，孤电子对与成键电子对间的排斥力大于成键电子对之间的排斥力，所以Si-N-Si的键角更小；
（5）根据图知，该晶胞是面心立方最密堆积，若该晶体中最邻近的两个P原子之间的距离为a nm，晶胞的棱长=√(2)anm，该晶胞中P原子个数=8×(1)/(8)+6×(1)/(2)=4，B原子个数为4，晶胞密度=((M)/(NA)×4)/(V)=((11+31)/(NA)×4)/((√(2)a×10-7)3)=((11+31)×4)/((√(2)a×10-7)3NA)．
故答案为：面心立方最密；((11+31)×4)/((√(2)a×10相关问答硼氢化钠化学式（NaBH4），是一种安全车载氢源．三氯化硼是一种重要的化工原料，某同学设计的三氯化硼以硼氢化合物NaBH4（B元素的化合价为+3价）和请问原子分光光度法(氢化物法)中的载液在哪一步用到Mesa蚀刻中用到氯气和三氯化硼,他们的反应原理是0.3mol的气态高能燃料乙硼烷（B2H6）在氧气元素周期表中的第ⅢA、ⅣA、ⅤA族的部分元素往往易硼氢化钠（NaBH4）具有优良的还原性，能将醛，酮盐酸-镁粉反应,四氢硼钠反应,氨性氯化锶反应的现象氯化硼的熔点为-107℃，沸点为12.5℃，在其分已知化合物(硼氮苯)与(苯)的分子结构相似，如下所将0.5mol的气态高能燃料乙硼烷（B2H6）在氧首页语文数学英语物理化学历史政治生物其他Copyright © 2019 zaojiaoba.cn All Rights Reserved 版权所有 作业搜本站资料来自网友投稿及互联网，如有侵犯你的权益，请联系我们：[e-mail]湘ICP备12012010号)