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(2014•山东模拟)Ⅰ.砷化镓为第三代半导体,以其为材料制造的灯泡寿命长.耗能少.已知砷化镓的晶胞结构如图所示.请回答下列问题:(1)下列说法正确的是(填序号)A.砷化
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(1)下列说法正确的是______(填序号)
A.砷化镓晶胞结构与NaCl相同 B.第一电离能 As>Ga C.电负性 As>Ga D.原子半径 As>Ga
(2)AsH3空间形状为______;已知(CH3)3Ga为非极性分子,则其中镓原子的杂化方式为______;
Ⅱ.金属铜的导电性仅次于银,居金属中的第二位,大量用于电气工业.
(3)Cu2+的核外电子排布式为______.
(4)在硫酸铜溶液中通入过量的氨气,小心蒸发,最终得到深蓝色的[Cu(NH3)4]SO4晶体,晶体中含有的化学键除普通共价键外,还有______和______.
▼优质解答
答案和解析
(1)A.GaAs晶体中As分布于晶胞体心,Ga分布于顶点和面心,而NaCl中阴阳离子分别位于晶胞的顶点、面心以及棱和体心,二者结构不同,故A错误;
B.同周期元素从左到右第一电离能逐渐增大,则第一电离能:As>Ga,故B正确;
C.同周期元素从左到右电负性逐渐增大,则电负性:As>Ga,故C正确;
D.同周期自左而右原子半径减小,故原子半径As<Ga,故D错误,
故答案为:BC;
(2)AsH3中含有3个δ键和1个孤电子对,为三角锥形,(CH3)3Ga中Ga形成3个δ键,没有孤电子对,为sp2杂化,故答案为:三角锥型;sp2;
(3)Cu为29号元素,Cu2+的核外有27个电子,其电子排布式为:1s22s22p63s23p63d9,
故答案为:1s22s22p63s23p63d9;
(4)[Cu(NH3)4]SO4晶体属于配合物,配离子与硫酸根之间形成离子键、铜离子与氨气分子之间形成配位键,)[Cu(NH3)4]SO4晶体属于配合物,氨气分子、硫酸根离子中存在普通共价键,四氨合铜络离子与硫酸根之间形成离子键、铜离子与氨气分子之间形成配位键,
故答案为:离子键;配位键.
B.同周期元素从左到右第一电离能逐渐增大,则第一电离能:As>Ga,故B正确;
C.同周期元素从左到右电负性逐渐增大,则电负性:As>Ga,故C正确;
D.同周期自左而右原子半径减小,故原子半径As<Ga,故D错误,
故答案为:BC;
(2)AsH3中含有3个δ键和1个孤电子对,为三角锥形,(CH3)3Ga中Ga形成3个δ键,没有孤电子对,为sp2杂化,故答案为:三角锥型;sp2;
(3)Cu为29号元素,Cu2+的核外有27个电子,其电子排布式为:1s22s22p63s23p63d9,
故答案为:1s22s22p63s23p63d9;
(4)[Cu(NH3)4]SO4晶体属于配合物,配离子与硫酸根之间形成离子键、铜离子与氨气分子之间形成配位键,)[Cu(NH3)4]SO4晶体属于配合物,氨气分子、硫酸根离子中存在普通共价键,四氨合铜络离子与硫酸根之间形成离子键、铜离子与氨气分子之间形成配位键,
故答案为:离子键;配位键.
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