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关于SRAM的写操作周期，下列说法错误的是(50)。A．CE端为低电平B．R/W'端为高电平C．地址出现在address线上D．数据出现在data线上
80386有4个总线周期定义信号分别为W/R、D/C、M/IO和LOCK，其中前3个是主要的总线周期定义信号，在FO写周期，各总线周期定义信号为( )。A．W/R=L低电平，D/C=H高电平，M/IO=H高电平B．W/R=L低电平，D/C=H高电平，M/IO=L低电平C．W/R=H高电平，D/C=
Pentium微理器进行存储器读操作时，在时钟周期Tl期间，完成下列操作( )。A．W/R信号变为高电平B．发送存储器地址C．读操作码D．读操作数
Pentium微处理器在突发式存储器读周期期间，W/R 和 Cache信号分别为A．高电平和高电平B．高电平和低电平C．低电平和高电平D．低电平和低电平
Pentium微处理器进行存储器读操作时，在时钟周期T1期间，完成下列哪一项操作?A．W/R信号变为高电平B．发送存储器地址C．读操作码D．读操作数
Pentium微处理器执行突发式存储器读总线周期时，Cache(Cache Enable)和W/R信号的状态应该是______。A) 1，1B) 1，0C) 0，1D) 0，0A．B．C．D．
Pentium微处理器在突发式存储器读周期期间，W/R和Cache信号分别为A．高电平和高电平B．高电平和低电平C．低电平和高电子D．低电平和低电平
Pentium微处理器执行非流水线读操作时，在T1期间ADS和W/R的状态是( )。A．0和0B．0和1C．1和0D．1和1
Pentium微处理器进行存储器读操作时，在时钟周期T1期间，完成下列哪一项操作?( )A．W/R信号变为高电平B．发送存储器地址C．读操作码D．读操作数
Pentium 微理器进行存储器读操作时，在时钟周期．T1期间，完成下列操作( )。A．W/R信号变为高电平B．发送存储器地址C．读操作码D．读操作数
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