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如图所示，直线MN右边区域宽度为L的空间，存在磁感强度为B的匀强磁场，磁场方向垂直纸面向里．由导线弯成的半径为R（L=2R）的圆环处在垂直于磁场的平面内，且可绕环与MN的切点O在该平其他

动势的瞬时值随时间变化的图象

如图所示，xOy平面位于光滑水平桌面上，在O≤x≤2L的区域内存在着匀强磁场，磁场方向垂直于xOy平面向下．由同种材料制成的粗细均匀的正六边形导线框，放在该水平桌面上，AB与DE边距离物理

框DE边刚进入磁场开始计时，

如图所示区域内存在匀强磁场，磁场的边界由x轴和y=2sinπ2x曲线围成（x≤2m），现把一边长为2m的正方形单匝线框以水平速度v=lOm/s水平匀速地拉过该磁场区，磁场区的磁感应强度为0.4T，线框物理

8NB．拉力F的最大功率为1

若内存地址区间为4000H—43FFH,每个存储单元可存储16位二进制数,该内存区域由4片存储器芯片构成,

若内存地址区间为4000H—43FFH，每个存储单元可存储16位二进制数，该内存区域由4片存储器芯片构成，则构成该内存所用的存储器芯片的容量是(16)。A．512×16bitB．256×8bitC．256×16bitD．1024×8bit

某嵌入式系统采用字节编址方式,内存由A4000H~BBFFFH共有(35)KB,实现该内存区域需要32K×4bit的SRA

某嵌入式系统采用字节编址方式，内存由A4000H～BBFFFH共有(35)KB，实现该内存区域需要32K×4bit的SRAM芯片共(36)片。A．32B．64C．96D．128

● 若内存地址区间为 4000H~43FFH,每个存贮单元可存储 16 位二进制数,该内存区域由 4 片存储器芯

● 若内存地址区间为 4000H～43FFH，每个存贮单元可存储 16 位二进制数，该内存区域由 4 片存储器芯片构成，则构成该内存所用的存储器芯片的容量是（4）。（4）A. 512×16bitB. 256×8bitC. 256×16bit D. 1024×8bit

● 某嵌入式系统采用字节编址方式,内存由A4000H到BBFFFH 共有 (35) KB,实现该内存区域需要32K×4bi

● 某嵌入式系统采用字节编址方式，内存由A4000H到BBFFFH 共有（35） KB，实现该内存区域需要32K×4bit的SRAM芯片共（36）片。（35）A. 32B. 64C. 96D. 128（36）A. 3B. 4C. 6D. 8

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