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16O和18O是氧元素的两种核素，NA表示阿伏加德罗常数，下列说法正确的是（）A.16O2与18O2互为同分异构体B.16O与18O核外电子排布方式不同C.16O与18O的质量数相同D.标准状况下，1.12L16O2和1 化学

均为0.1NA

钒（23V）广泛用于催化及钢铁工业，我国四川的攀枝花和河北的承德有丰富的钒矿资源．回答下列问题：（1）钒原子的外围电子排布式为，所以在元素周期表中它应位于B族．（2）V2O5常化学

_对，S原子的杂化轨道类型为

GTN{[Ni（CHZ）3]（ClO4）2}是一种具有较强爆轰成长距离的初发药．（1）基态镍原子有个未成对电子，二价镍离子核外电子排布式为g•cm-3（不必计算出结果）．化学

非血红素铁是食物中铁存在的形式之一，主要是三价铁与蛋白质和羧酸结合成络合物．（1）Fe基态原子价电子排布式为．（2）KSCN是检验Fe3+的试剂之一，与SCN-互为等电子体的一种分子为化学

mol 乙酸分子中含有σ的键

已知：X、Y、Z为短周期元素，X、Y同周期，X和Z同主族，Y原子基态时的2p轨道上未成对的电子数最多，X的低价氧化物和Y单质分子的电子数相等．W2+的核外电子排布式为[Ar]3d9．（1）XH3+是有机化学

为______．（2）Z的单

如图为短周期一部分．A、C两元素原子核外分别有两个、一个未成对电子．试回答：（1）B、C两种原子的电子排布式、．（2）短周期元素D与A同主族，则A、B、D三种元素形成的氢化物化学

的孤电子对均在杂化轨道内，则

第ⅢA、ⅤA原元素组成的化合物GaN、GaP、GaAs等是人工合成的新型半导体材料，其晶体结构与单晶硅相似．Ga原子的电子排布式为．在GaN晶体中，每个Ga原子与个N原子相连，与同一个Ga原子化学

__晶体．

选做题--物质结构与性质某氮铝化合物X具有耐高温、抗冲击、导热性好等优良性质，广泛用于陶瓷工业等领域．（1）基态氮原子的核外电子排布式为（2）工业上将氧化铝与氮气和化学

方程式为______．（3）

[化学--物质结构与性质]（1）第ⅢA、ⅤA元素组成的化合物GaN、GaP、GaAs等是人工合成的新型半导体材料，其晶体结构与单晶硅相似．Ga原子的电子排布式为．在GaN晶体中，与同一个Ga原子化学

N属于______晶体．（2

（1）第ⅢA、ⅤA族元素组成的化合物GaN、GaP、GaAs等是人工合成的新型半导体材料，其晶体结构与单晶硅相似．Ga原子的电子排布式为．在GaN晶体中，每个Ga原子与个N原子相连，与同化学

晶体类型中，GaN属于___

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