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一块N型半导体薄片（称霍尔元件），其横载面为矩形，体积为b×c×d，如图所示。已知其单位体积内的电子数为n、电阻率为ρ、电子电荷量e，将此元件放在匀强磁场中，磁场方向沿物理

侧面中，哪个面电势高？(2)

（2007•苏州模拟）一块N型半导体薄片（称霍尔元件），其横载面为矩形，体积为b×c×d，如图所示．已知其单位体积内的电子数为n、电阻率为ρ、电子电荷量e．将此元件放在匀强磁场中，磁物理

？（2）试证明在磁感应强度一

某容量为180的样本的频率分布直方图共有n（n＞1）个小矩形，若第一个小矩形的面积等于其余n-1个小矩形的面积之和的15，则第一个小矩形对应的频数是（）A.20B.25C.30D.35 数学

自伴随矩阵下面的说法是否正确.如果A是可逆的自伴随实矩阵,即A=A,两边取行列式,得到|A|=|A|=|A|n-1,因为A可逆,所以|A|≠0,同除以|A|,得到|A|n-2=1如果阶数n为大于等于3的奇数,那么只能是|A|=1,也数学

于等于4的偶数,那么也只能是

一块N型半导体样品的体积为abc,A,C',A',C,为其四个侧面,已知半导体样品单位体积中的电子数为n,电阻率为p,电子的电荷量为e,将半导体放在匀强磁场中,磁场方向沿z轴正方向,并沿x方向通有电流物理

电子定向移动的平均速率是多少

已知数列{an}中,a1=1且点pn(an,an+1)(n∈N+)在直线x-y+1=0上,(1)求数列{an}的通项公式(2)若函数f(n)=1/(n+a1)+1/(n+a2)+1/(n+a3)+...+1/(n+an)（n∈N,且n≥2）,比较f(n)与f(n+1) 数学

大小

1经过老师的细心教导,我终于被评为“优秀少先队员”的光荣称号.2我们要积极响应“1经过老师的细心教导,我终于被评为“优秀少先队员”的光荣称号.2我们要积极响应“人人动手,绿化祖国语文

当n∈N*时，定义函数N（n）表示n的最大奇因数．如N（1）=1，N（2）=1，N（3）=3，N（4）=1，N（5）=5，N（10）=5，记S（n）=N（1）+N（2）+N（3）+…N（2n）（n∈N），则S（n）=4n+234n+23．其他

因为（-x^2m）y与（1/3y^mn）x是同类项所以2m=1、mn=1 m=1/2 n=2 则-2m+n=-1+2=1您好!m=1/2是怎样解得的. 数学

一个不等式证明已知n∈N+,求证：(2n+1)^n≥(2n)^n+(2n-1)^n下面是我的证明,加强命题：已知p≤n,求证：(2p+1)^n≥(2p)^n+(2p-1)^n①对n用归纳法n=1时显然成立(2p+1)^(n+1)=(2p+1)^n*(2p+1)≥[(2 数学

p)^n+(2p-1)^n]

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