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共找到 4 与微粒射出电场时的偏转角θ 相关的结果,耗时33 ms
如图所示,一带电微粒质量为m=2.0×10-11kg、电荷量q=+1.0×10-5C,从静止开始经电压为U1=100V的电场加速后,水平进入两平行金属板间的偏转电场中,微粒射出电场时的速度偏转角θ=60°,
物理
微粒射入磁场时继续沿原偏转方
如图所示,一个质量为m,电荷量为+q的微粒(不计重力),以水平速度v0射入两平行金属板间的偏转电场.己知金属板长L,两板间距d,微粒射出偏转电场时的偏转角θ=30°,并同时射入匀强
其他
边界射出,则该磁场的磁感应强
(2013•开封一模)如图所示,一带电微粒质量为m=2.0×10-11kg、电荷量q=+1.0×10-5C,从静止开始经电压为U1=100V的电场加速后,水平进入两平行金属板间的偏转电场中,
微粒射出电场时的偏转角θ
物理
磁场区域,微粒射出磁场时的偏
(2013•自贡模拟)如图所示,一带电微粒质量为m=2.0×10-11kg、电荷量q=+1.0×10-5C,从静止开始经电压为U1=100V的电场加速后,水平进入两平行金属板间的偏转电场中,
微粒射出电场时的偏转角θ
物理
.6cm的匀强磁场区域.已知
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