共找到 477772 与哈佛结构是把指令和数据进行混合存储 相关的结果，耗时57 ms
EPROM是指( )A．只读存储器B．可编程的只读存储器C．可擦可编程的只读存储器D．电可改写只读存储器
在存储系统中，PROM是指( )A．可读写存储器B．可擦除可编程只读存储器C．电可擦除只读存储器D．可编只读存储器
半导体存储器中，动态RAM是指( )。A．信息在存储介质中移动B．按字结构方式存储C．按位结构方式存储D．每隔一段时间要进行一次刷新
硬磁盘存储器的道存储密度是指(69)，而不同磁道上的位密度是(70)。A．沿同磁道每毫米记录的二进制位B．同一柱面上的磁道数C．一个磁道圆周上所记录的二进制位数D．沿磁盘半径方向上单位长度(毫米或英寸)上的磁道数
硬磁盘存储器的道存储密度是指(1)，而不同磁道上的位密度是(2)。A．沿同磁道每毫米记录的二进制位数B．同一柱面上的磁道数C．一个磁道圆周上所记录的二进制位数D．沿磁盘半径方向上单位长度(毫米或英寸)上的磁道数
下面关于半导体存储器的叙述中，错误的是A．DRAM是指动态随机存取存储器B．SRAM是指静态随机存取存储器C．EPROM 是一种只读存储器了内容一经写入就不能再被擦除D．Flash Memory既具有非易性，又能快速擦除和重写
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