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Ⅱ．砷化镓为第三代半导体材料，（1）砷化镓可由（CH3）3Ga和AsH3在700℃下反应制得，反应的化学方程式为．（2）比较二者的第一电离能：AsGa（填“<”、“>”或“=”）；（3）As 化学

镓原子的杂化方式是___．

（2014•西安二模）Ⅰ．砷化镓为第三代半导体，以其为材料制造的灯泡寿命长、耗能少．已知砷化镓的晶胞结构如图1所示．请回答下列问题：（1）下列说法正确的是（填序号）．A．砷其他

＞Ga（2）砷化镓可由（CH

（2014•山东模拟）Ⅰ．砷化镓为第三代半导体，以其为材料制造的灯泡寿命长．耗能少．已知砷化镓的晶胞结构如图所示．请回答下列问题：（1）下列说法正确的是（填序号）A．砷化化学

径 As＞Ga（2）AsH3

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