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(2013•包头模拟)[化学--选修物质结构与性质]已知A、B、C、D、E、F、G位于元素周期表的前四周期,且元素原子序数依次增加,A焰色反应呈黄色;工业常用电解B的熔融的氯化物来制备B,C是
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(2013•包头模拟)[化学--选修物质结构与性质]
已知A、B、C、D、E、F、G位于元素周期表的前四周期,且元素原子序数依次增加,A焰色反应呈黄色;工业常用电解B的熔融的氯化物来制备B,C是一种能被HF和NaOH溶液溶解的单质,D的电负性比磷大,第一电离能却比磷小,E单质是制备漂白液的原料,F能形成红色(或砖红色)和黑色的两种氧化物,G是一种主族金属.
(1)前四周期所有元素中,基态原子中未成对电子与其所在周期数相同的元素有______种.
(2)元素A、B、C分别与氟气化合形成物质X、Y、Z熔点见下表:
解释表中氟化物熔点差异的原因:______.
(3)已知常温条件下,极性分子DOE2是一种液态化合物,中心原子D的杂化方式是______.向盛有10mL水的锥形瓶中滴加少量的DOE2溶液,生成两种有刺激性气味的气体.请书写此反应的化学方程式______.
(4)G与氮原子可1:1化合,形成人工合成的新型半导体材料,其晶体结构与单晶硅相似.G原子的价电子排布式为______.在该合成材料中,与同一个G原子相连的N原子构成的空间构型为正四面体.在四种基本晶体类型中,此晶体属于______晶体.
(5)F晶体的堆积方式是______(填堆积名称),其配位数为______. 向F的硫酸盐溶液中滴加氨水直至过量,写出此过程所涉及的两个离子方程式______根据价层电子对互斥理论,预测SO42-的空间构型为______.
已知A、B、C、D、E、F、G位于元素周期表的前四周期,且元素原子序数依次增加,A焰色反应呈黄色;工业常用电解B的熔融的氯化物来制备B,C是一种能被HF和NaOH溶液溶解的单质,D的电负性比磷大,第一电离能却比磷小,E单质是制备漂白液的原料,F能形成红色(或砖红色)和黑色的两种氧化物,G是一种主族金属.
(1)前四周期所有元素中,基态原子中未成对电子与其所在周期数相同的元素有______种.
(2)元素A、B、C分别与氟气化合形成物质X、Y、Z熔点见下表:
氟化物 | X | Y | Z |
熔点/K | 1266 | 1534 | 183 |
(3)已知常温条件下,极性分子DOE2是一种液态化合物,中心原子D的杂化方式是______.向盛有10mL水的锥形瓶中滴加少量的DOE2溶液,生成两种有刺激性气味的气体.请书写此反应的化学方程式______.
(4)G与氮原子可1:1化合,形成人工合成的新型半导体材料,其晶体结构与单晶硅相似.G原子的价电子排布式为______.在该合成材料中,与同一个G原子相连的N原子构成的空间构型为正四面体.在四种基本晶体类型中,此晶体属于______晶体.
(5)F晶体的堆积方式是______(填堆积名称),其配位数为______. 向F的硫酸盐溶液中滴加氨水直至过量,写出此过程所涉及的两个离子方程式______根据价层电子对互斥理论,预测SO42-的空间构型为______.
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答案和解析
A、B、C、D、E、F、G位于元素周期表的前四周期,且原子序数依次增加.A焰色反应呈黄色,则A为Na;C是一种能被HF和NaOH溶液溶解的单质,则C为Si;E单质是制备漂白液的原料,则E为Cl;结合原子序数可知B、D处于第三周期,工业常用电解B的熔融的氯化物来制备B,B的氯化物为离子化合物,B原子序数大于Na,故B为Mg;D的电负性比磷大,第一电离能却比磷小,则D为S元素;F能形成红色(或砖红色)和黑色的两种氧化物,则F为Cu;G是一种主族金属,原子序数大于Cu,由(4)中G与氮原子可1:1化合,G表现+3价,则G只能处于ⅢA族,故G为Ga,
(1)第一周期中,有一个未成对电子的是氢原子,其电子排布为1s1;第二周期中,未成对电子是两个的有两种C:1s22s22p2 和 O:1s22s22p4;第三周期中,未成对电子是三个的是P:1s22s22p63s23p3;第四周期中未成对电子是四个的是Fe:1s22s22p63s23p64s23d6,共5种,
故答案为:5;
(2)NaF与 MgF2为离子晶体,SiF4为分子晶体,故SiF4的熔点低;Mg2+的半径比Na+的半径小,故MgF2的熔点比NaF高,
故答案为:NaF与 MgF2为离子晶体,SiF4为分子晶体,故SiF4的熔点低;Mg2+的半径比Na+的半径小,故MgF2的熔点比NaF高;
(3)常温条件下,极性分子SOCl2是一种液态化合物,中心原子S原子的价层电子对数=3+
=4、含有1对孤对电子,故S原子采取sp3杂化.向盛有10mL水的锥形瓶中滴加少量的SOCl2溶液,生成两种有刺激性气味的气体,应是生成SO2、HCl,该反应的化学方程式SOCl2+H2O=SO2+2HCl,
故答案为:sp3;SOCl2+H2O=SO2+2HCl;
(4)G为Ga,处于第四周期ⅢA族,故Ga原子价电子排布式为4s24p1,在该合成材料GaN中,与同一个Ga原子相连的N原子构成的空间构型为正四面体,GaN晶体结构与单晶硅相似,在四种基本晶体类型中,此晶体属于原子晶体,
故答案为:4s24p1;原子;
(5)Cu晶体面心立方最密堆积,以到达Cu原子为研究对象,与之最近的Cu原子处于面心上,每个顶点Cu原子为12个面共用,故其配位数为12. 向硫酸铜溶液中滴加氨水直至过量,先生成氢氧化铜沉淀,最后氢氧化铜与氨水生成[Cu(NH3)4]2+,涉及的反应离子方程式为:Cu2++2NH3•H2O=Cu(OH)2↓+2NH4+、Cu(OH)2+4NH3•H2O=[Cu(NH3)4]2++2OH-+4H2O;
SO42-中心原子S的价层电子对=4+
=4、S原子孤电子对数为0,故SO42-为正四面体结构,
故答案为:面心立方最密堆积;12;Cu2++2NH3•H2O=Cu(OH)2↓+2NH4+、Cu(OH)2+4NH3•H2O=[Cu(NH3)4]2++2OH-+4H2O;正四面体.
(1)第一周期中,有一个未成对电子的是氢原子,其电子排布为1s1;第二周期中,未成对电子是两个的有两种C:1s22s22p2 和 O:1s22s22p4;第三周期中,未成对电子是三个的是P:1s22s22p63s23p3;第四周期中未成对电子是四个的是Fe:1s22s22p63s23p64s23d6,共5种,
故答案为:5;
(2)NaF与 MgF2为离子晶体,SiF4为分子晶体,故SiF4的熔点低;Mg2+的半径比Na+的半径小,故MgF2的熔点比NaF高,
故答案为:NaF与 MgF2为离子晶体,SiF4为分子晶体,故SiF4的熔点低;Mg2+的半径比Na+的半径小,故MgF2的熔点比NaF高;
(3)常温条件下,极性分子SOCl2是一种液态化合物,中心原子S原子的价层电子对数=3+
6−2−1×2 |
2 |
故答案为:sp3;SOCl2+H2O=SO2+2HCl;
(4)G为Ga,处于第四周期ⅢA族,故Ga原子价电子排布式为4s24p1,在该合成材料GaN中,与同一个Ga原子相连的N原子构成的空间构型为正四面体,GaN晶体结构与单晶硅相似,在四种基本晶体类型中,此晶体属于原子晶体,
故答案为:4s24p1;原子;
(5)Cu晶体面心立方最密堆积,以到达Cu原子为研究对象,与之最近的Cu原子处于面心上,每个顶点Cu原子为12个面共用,故其配位数为12. 向硫酸铜溶液中滴加氨水直至过量,先生成氢氧化铜沉淀,最后氢氧化铜与氨水生成[Cu(NH3)4]2+,涉及的反应离子方程式为:Cu2++2NH3•H2O=Cu(OH)2↓+2NH4+、Cu(OH)2+4NH3•H2O=[Cu(NH3)4]2++2OH-+4H2O;
SO42-中心原子S的价层电子对=4+
6+2−2×4 |
2 |
故答案为:面心立方最密堆积;12;Cu2++2NH3•H2O=Cu(OH)2↓+2NH4+、Cu(OH)2+4NH3•H2O=[Cu(NH3)4]2++2OH-+4H2O;正四面体.
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