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现有部分前四周期元素的性质、原子结构如下表:元素编号元素性质、原子结构A第三周期中的半导体材料BL层s电子数比p电子数少1C第三周期主族元素中其电负性最大D元素的2p轨道无空轨道

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作业帮现有部分前四周期元素的性质、原子结构如下表:
元素 编号元素性质、原子结构
A第三周期中的半导体材料
BL层s电子数比p电子数少1
C第三周期主族元素中其电负性最大
D元素的2p轨道无空轨道,且有两个单电子
(1)B常见单质分子的电子式为 ___,含有σ键和π键个数比为 ___.
元素B的气态氢化物的VSEPR模型为 ___,B的气态氢化物、Cl2、O2三种气体在水中的溶解性差异大的原因是有 ___.
(2)这四种元素形成的单质晶体的沸点从高到低顺序为 ___(写对应化学式),你的比较依据是 ___.
(3)BC3分子晶体中B原子的杂化轨道类型为 ___,用电子式表示其形成过程为: ___.
(4)元素B的10e-氢化物与元素C的18e-的氢化物反应得到的产物的晶体类型为 ___
(5)如图所示某A与氧离子的空间结构示意图(虚线不表示共价键).通过观察分析,下列叙述正确的有 ___
A、键角为120℃B、化学组成为SiO32-
C、键角为109°28′D、化学组成为SiO44-
▼优质解答
答案和解析
A是第三周期中的半导体材料,A为硅元素,B的L层s电子数比p电子数少1,则B为氮元素,C为第三周期主族元素中其电负性最大,则C为氯元素,D元素的2p轨道无空轨道,且有两个单电子,则D为氧元素,
(1)B常见单质为氮气,分子的电子式为作业帮,含有σ键和π键个数比为1:2,在氨分子中由于氮原子的价层电子对数为
5+3
2
=4,所以分子的VSEPR模型为 四面体型,由于氨气与水反应程度大,且为极性分子与水分子相同,以及与水分子之间形成氢键,所以氨气的溶解度最大,而Cl2、O2的极性与水不同,但Cl2能与水反应,所以Cl2的溶解度比氧气大,
故答案为:作业帮;1:2;四面体;氨气与水反应程度大,且为极性分子与水分子相同,以及与水分子之间形成氢键;Cl2、O2的极性与水不同,但Cl2能与水反应;
(2)由于硅是原子晶体,氧气、氯气、氮气都是分子晶体,但相对分子质量氯气大于氧气大于氮气,所以分子间作用力氯气大于氧气大于氮气,根据晶体的类型和对应破坏的作用大小等因素可知,这四种元素形成的单质晶体的沸点从高到低顺序为Si>Cl2>O2>N2
故答案:Si>Cl2>O2>N2;晶体的类型和对应破坏的作用大小等因素;
(3)NCl3分子晶体中N原子的价层电子对数为
5+3
2
=4,所以N原子的杂化轨道类型为sp3杂化,用电子式表示NCl3形成过程为作业帮
故答案为:sp3杂化;作业帮
(4)元素B的10e-氢化物为氨气,元素C的18e-的氢化物为氯化氢,它们反应得到的产物为氯化铵,是离子晶体类型,
故答案为:离子晶体;
(5)根据题中图所示,每个硅原子周围有四个氧原子,所以键角为109°28′,根据化合价和原子数可知,该微粒的组成为SiO44-,故选CD;
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