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(1)第ⅢA、ⅤA元素组成的化合物GaN、GaP、GaAs等是人工合成的新型半导体材料,其晶体结构与单晶硅相似.Ga原子的电子排布式为.在GaN晶体中,与同一个Ga原子相连的N原子构成的空间
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(1)第ⅢA、ⅤA元素组成的化合物GaN、GaP、GaAs等是人工合成的新型半导体材料,其晶体结构与单晶硅相似.Ga原子的电子排布式为______.在GaN晶体中,与同一个Ga原子相连的N原子构成的空间构型为______.在四大晶体类型中,GaN属于______晶体.
(2)铜、铁元素能形成多种配合物.微粒间形成配位键的条件是:一方是能够提供孤电子对的原子或离子,另一方是具有______的原子或离子
(3)CuCl2溶液与乙二胺(H2N-CH2-CH2-NH2)可形成配离子:请回答下列问题:
①H、N、O三种元素的电负性由大到小的顺序是______.
②SO2分子的空间构型为______.与SnCl4互为等电子体的一种离子的化学式为______
③乙二胺分子中氮原子轨道的杂化类型为______.乙二胺和三甲胺[N(CH3)3]均属于胺,但乙二胺比三甲胺的沸点高的多,原因是______.
④(3)中所形成的配离子中含有的化学键类型有______.
a.配位键 b.极性键 c.离子键 d.非极性键
⑤CuCl的晶胞结构如图所示,其中Cl原子的配位数为______.
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(2)铜、铁元素能形成多种配合物.微粒间形成配位键的条件是:一方是能够提供孤电子对的原子或离子,另一方是具有______的原子或离子
(3)CuCl2溶液与乙二胺(H2N-CH2-CH2-NH2)可形成配离子:请回答下列问题:
①H、N、O三种元素的电负性由大到小的顺序是______.
②SO2分子的空间构型为______.与SnCl4互为等电子体的一种离子的化学式为______
③乙二胺分子中氮原子轨道的杂化类型为______.乙二胺和三甲胺[N(CH3)3]均属于胺,但乙二胺比三甲胺的沸点高的多,原因是______.
④(3)中所形成的配离子中含有的化学键类型有______.
a.配位键 b.极性键 c.离子键 d.非极性键
⑤CuCl的晶胞结构如图所示,其中Cl原子的配位数为______.
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▼优质解答
答案和解析
(1)Ga原子是31号元素,Ga原子的电子排布式为1s22s22p63s23p63d104s24p1;GaN晶体结构与单晶硅相似,GaN属于原子晶体,与同一个Ga原子相连的N原子构成的空间构型为正四面体,故答案为:1s22s22p63s23p63d104s24p1;...
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