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第ⅢA、ⅤA原元素组成的化合物GaN、GaP、GaAs等是人工合成的新型半导体材料,其晶体结构与单晶硅相似.Ga原子的电子排布式为.在GaN晶体中,每个Ga原子与个N原子相连,与同一个Ga原子
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第ⅢA、ⅤA原元素组成的化合物GaN、GaP、GaAs等是人工合成的新型半导体材料,其晶体结构与单晶硅相似.Ga原子的电子排布式为___.在GaN晶体中,每个Ga原子与___个N原子相连,与同一个Ga原子相连的N原子构成的空间构型为___.在四大晶体类型中,GaN属于___晶体.第ⅢA、ⅤA原元素组成的化合物GaN、GaP、GaAs等是人工合成的新型半导体材料,其晶体结构与单晶硅相似.Ga原子的电子排布式为___.在GaN晶体中,每个Ga原子与___个N原子相连,与同一个Ga原子相连的N原子构成的空间构型为___.在四大晶体类型中,GaN属于___晶体.
▼优质解答
答案和解析
Ga原子是31号元素,Ga原子的电子排布式为1s222s222p663s223p663d10104s224p11;GaN晶体结构与单晶硅相似,GaN属于原子晶体,每个Ga原子与4个N原子相连,与同一个Ga原子相连的N原子构成的空间构型为正四面体,
故答案为:1s222s222p663s223p663d10104s224p11;4;正四面体;原子.
故答案为:1s222s222p663s223p663d10104s224p11;4;正四面体;原子.
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