三极管的基础问题~三极管中电流Ib控制电流Ic的微观解释是否如下：由于Ib在发射结上是正向偏置,所以Ib的大小就控制了发射结空间电荷区的宽窄程度,从而控制了电流Ie所遇到的电阻的大小,

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三极管的基础问题~
三极管中电流Ib控制电流Ic的微观解释是否如下：
由于Ib在发射结上是正向偏置,所以Ib的大小就控制了发射结空间电荷区的宽窄程度,从而控制了电流Ie所遇到的电阻的大小,由此控制Ie和Ic的大小呢?如果是的话,那是不是就是说当一个PN结只受到对于它正向偏置的但只存在于PN结一侧的电荷积累（比如说,在P的一侧有大量的空穴积聚增多,但N的一侧却没电子积聚增多）也有阻碍作用啊?
事关紧要,不懂的千万别装懂,只要说 Yes 或 No +
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▼优质解答

答案和解析

yes,PN要导通,必须要在PN结的结合部形成空穴和电子的交汇区,也就是导电沟道,这个导电沟道里的电子和空穴越稠密,导电越强,反之相反.如你说的,如果P端有空穴而N端没有电子,不行形成导电通道,是不会导通的.

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