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如图一所示,abcd为用导体做成的框架,其所在平面与水平面成θ角,质量为m的导体棒MN与ab、cd接触良好,回路的电阻为R,整个装置放于垂直于框架平面的变化的磁场中,t=0时磁场方向向上
题目详情
如图一所示,abcd为用导体做成的框架,其所在平面与水平面成θ角,质量为m的导体棒MN与ab、cd接触良好,回路的电阻为R,整个装置放于垂直于框架平面的变化的磁场中,t=0时磁场方向向上.磁感应强度B的变化情况如图二所示,MN始终静止.则在0~t2时间段内,下面的分析正确的是( )

A.t1时刻感应电流为零
B.t1时刻MN受到的安培力为零
C.MN中产生的感应电流随时间均匀变化
D.MN受到的安培力随时间均匀变化

A.t1时刻感应电流为零
B.t1时刻MN受到的安培力为零
C.MN中产生的感应电流随时间均匀变化
D.MN受到的安培力随时间均匀变化
▼优质解答
答案和解析
由图看出,磁感应强度均匀变化,
一定,穿过MNcb回路的磁通量均匀变化,根据法拉第电磁感应定律得知,回路中产生的感应电动势恒定不变,感应电流也恒定不变;故A错误,C正确,再由F=BIL可知,B均匀减小,PQ所受安培力大小F均匀减小,故D正确,在t1时刻B=0,故安培力为零,故B正确.
故选:BD
△B |
△ |
故选:BD
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